徐岳生
,
杨新荣
,
郭华锋
,
唐蕾
,
刘彩池
,
王海云
,
魏欣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.026
通过化学腐蚀(AB腐蚀液)、金相显微镜观察、透射电镜(TEM)及能谱分析(EDX),对LEC法生产的半绝缘砷化镓( SI-GaAs)单晶中碳的微区分布进行了分析.其结果表明: 碳的微区分布与晶片中位错密度及分布存在对应关系.高密度位错区位错形成胞状结构,该结构的胞壁区碳含量高,近胞壁区次之,剥光区碳含量低于检测限.
关键词:
SI-GaAs
,
位错
,
碳含量
,
能谱分析
王海云
,
张春玲
,
唐蕾
,
刘彩池
,
申玉田
,
徐岳生
,
覃道志
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.027
砷化镓(GaAs)为第二代半导体材料,GaAs衬底质量直接影响器件性能.利用JEM-2002透射电子显微镜(TEM)及其主要附件X射线能量散射谱仪(EDXA),对半绝缘砷化镓(SI-GaAs)单晶中微缺陷进行了研究.发现SI-GaAs单晶中的微缺陷包含有富镓沉淀、富砷沉淀、砷沉淀、 GaAs多晶颗粒和小位错回线等.还分析了微缺陷的形成机制.
关键词:
SI-GaAs
,
微缺陷
,
小位错回线
,
沉淀成核中心
张春玲
,
唐蕾
,
张会平
,
姚江宏
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.02.001
利用双槽电化学腐蚀方法制备多孔硅,并用电化学掺杂方法对多孔硅进行稀土元素Er3+/Yb3+掺杂.利用扫描电镜和X射线衍射光谱分析所制备样品的结构和成分;通过对比掺杂前后以及退火前后荧光光谱的变化,分析能级变化情况和能量传递过程,认为可见光区的绿光源于SiOx(1＜x＜2)氧化层中的Si-O键,可见光区的红光和近红外区域的发光,源于Er3+和Yb3+离子之间交叉弛豫或者选择性跃迁.
关键词:
多孔硅
,
电化学
,
稀土掺杂
,
荧光光谱
,
X射线衍射
