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ADP晶体(100)面相变界面的微观结构

曹亚超 , 李明伟 , 喻江涛 , 王晓丁 , 朱廷霞

人工晶体学报

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(Atomic Force Microscopy)研究表明,其相变驱动力为0.01~0.04kT/ωs时,ADP晶体(100)面的平均面粗糙度和均方面粗糙度均不到0.3 nm,小于该晶面间距0.75 nm,微观结构表现为光滑界面,与夫兰克模型、特姆金模型相符,并观测到螺位错生长;在相变驱动力为0.053~0.11kT/ωs时,ADP晶体的(100)面的平均面粗糙度和均方面粗糙度介于1.8~4.2 nm,大于该晶面间距0.75 nm,微观结构粗糙度增加,趋向于粗糙界面,可用特姆金的弥散界面模型解释,界面上观测到多二维核生长.

关键词: 相变界面 , 微观结构 , 粗糙度 , 相变驱动力 , AFM

不同pH值下KDP过饱和溶液的成核研究

程旻 , 李明伟 , 付东 , 薛晓攀 , 喻江涛

功能材料

研究了不同pH值下、不同温度和过饱和度的KDP溶液的成核过程,测定了不同情况下溶液的诱导期.研究表明,当KDP溶液的过饱和比S1.3时,均匀成核起主导作用;当S<1.2时,非均匀成核起主导作用.根据经典均匀成核理论,针对KDP过饱和溶液均匀成核的情况计算出了不同pH值、不同温度下的固-液界面张力等成核参数,并从上述参数的相互比较中分析得到了改变pH值后溶液稳定性变强的原因.最后通过对表面熵因子的计算,确定了KDP晶体的微观生长机制为连续生长模式.

关键词: pH值 , KDP , 均匀成核 , 诱导期 , 固-液界面张力

ADP晶体的生长丘、台阶微观形貌及台阶棱边能

喻江涛 , 李明伟 , 曹亚超 , 王晓丁 , 程旻

功能材料

ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)研究表明,过饱和度σ处于0.005~0.04,生长温度介于293~313K之间时,晶面上观察到位错生长丘和其它晶体缺陷所形成的生长丘,晶面主要为台阶推进方式生长;位错生长丘上空洞的出现与位错弹性理论相符;随过饱和度σ降低,台阶形貌会发生相应变化;生长温度为298K时,台阶棱边能不小于6.2×10-7J/cm2.

关键词: ADP晶体 , 生长丘 , 台阶 , 台阶棱边能 , AFM

粘结剂对颗粒活性炭PSA分离CH4/N2性能的影响

刘立恒 , 辜敏 , 鲜学福 , 喻江涛

材料研究学报

以褐煤为原料,分别采用煤焦油、可溶淀粉和聚丙烯酰胺(PAM)作粘结剂,制备了用于变压吸附(PSA)分离CH4和N2混合气体(CH4/N2)的三种颗粒活性炭GAC-C、GAC-T和GAC-P,对样品的表面官能团和孔结构进行表征,研究了粘结剂对活性炭PSA分离CH4/N2性能的影响.结果表明:粘结剂的种类和用量对样品分离效果影响较大,GAC-T的PSA分离CH4/N2的性能最好.粘结剂用量(粘结剂与煤粉的质量比)为0.15-0.20时,GAC-T可将CH4浓缩28%左右;GAC-C、GAC-T和GAC-P表面含氧官能团含量的关系排序为GAC-T>GAC-C>GAC-P,而三者的孔结构范围则为10-30 nm、2-10 nm和0.4-2 nm,相差较大;样品碱性表面含氧官能团的含量越高越有利于CH4/N2的PSA分离;CH4/N2分离效果受微孔的影响较大,0.4-0.7 nm的微孔是造成GAC-C、GAC-T和GAC-P分离效果差异的主要因素.

关键词: 无机非金属材料 , 颗粒活性炭 , 变压吸附 , CH4/N2 , 孔结构

ADP晶体相变界面微观形貌及其推移的实时AFM研究

喻江涛 , 李明伟 , 王晓丁

工程热物理学报

运用原子力显微术AFM (atomic force microscopy, AFM)观察了ADP晶体生长时相界面上动态微观形貌的变化并测算了台阶传播速率.实验结果表明,在相变驱动力介于0.005~0.05κT/ωs,生长温度介于20~40℃之间时,相变界面表现出台阶面的基本特征;相变界面上台阶推移的动力学系数体现出溶质输运趋向于体扩散控制;微晶融合的过程说明ADP晶体生长中,微晶融入与大分子晶体的同类过程有所不同,不会形成晶体缺陷.

关键词: 相变界面 , 相变驱动力 , 台阶 , 扩散 , AFM

ADP晶体{100}面族二维成核生长微观形貌的AFM研究

喻江涛 , 李明伟 , 王晓丁

功能材料

ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM(atomic force microscopy,AFM)成像表明,过饱和度σ=0.053时,晶面上出现二维成核生长;随σ增加至0.11,二维岛数量急剧增加,尺寸减小,分布渐趋均匀,二维成核生长逐渐增强,界面呈现出由光滑向粗糙转变的特征;各二维岛形状趋近于长条形,表现出各向异性,长轴平行于[001]晶向;二维岛上有单分子高度的台阶和台阶聚并后高度为2~3nm的大台阶;二维岛间融合时取向相同;σ=0.053时,融合后所形成的较大二维岛的生长呈现出周边快中心慢的情况,将可能导致产生晶体缺陷.

关键词: ADP晶体 , 二维岛 , 过饱和度 , AFM

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