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La9.33Si6O26基氧离子导电复合材料的制备与导电性

刘超峰 , 张鸿 , 夏俊霄 , 李根 , 李志成

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01043

采用改性共沉淀法合成了La9.33Si6O26-10wt% Zr0.86Y0.14O1.92两相共存的氧离子导电复合材料, 利用X射线衍射、扫描电子显微镜、交流阻抗技术分别表征了材料的相组成、微观组织和离子导电性. 结果表明, 复合材料粉体平均晶粒尺寸为35 nm, 烧结块体的平均颗粒尺寸为500 nm; 在300~700℃温度范围内, 复合材料的导电率均高于La9.33Si6O26或Zr0.86Y0.14O1.92单相材料, 且700℃时比La9.33Si6O26高出1个数量级. 结合交流阻抗谱及电模量谱对复合材料的导电机理进行了分析讨论.

关键词: La9.33Si6O26 , Zr0.86Y0.14O1.92 , composite material , co-precipitation method , ionic conductivity

La9.33Si6O26基氧离子导电复合材料的制备与导电性

刘超峰 , 张鸿 , 夏俊霄 , 李根 , 李志成

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.01043

采用改性共沉淀法合成了La9.33Si6O26- 10wt% Zr0.86Y0.14O1.92两相共存的氧离子导电复合材料,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、交流阻抗技术分别表征了材料的相组成、微观组织和离子导电性.结果表明,复合材料粉体平均晶粒尺寸为35 nm,烧结块体的平均颗粒尺寸为500 nm;在300~700℃温度范围内,复合材料的导电率均高于La9.33Si6O26或Zr0.86Y0.14O1.92单相材料,且700℃时比La9.33Si6O26高出1个数量级.结合交流阻抗谱及电模量谱对复合材料的导电机理进行了分析讨论.

关键词: La9.33Si6O26 , Zr0.86Y0.14O1.92 , 复合材料 , 共沉淀法 , 离子导电性

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