张立祥
,
王海涛
,
王尤海
,
夏庆峰
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20163112.1112
本文对在等离子体刻蚀工艺中,功率、压强、气体比例重要参数对 a-Si 刻蚀均一性的影响进行了研究。采用PECVD 成膜、RIE 等离子体刻蚀,并通过台阶仪和光谱膜厚测定仪对膜厚进行表征。结果表明压强在10~15 Pa,功率在5500~6500 W 的参数区间,a-Si 刻蚀均一性波动不大,适合工业化生产。a-Si 刻蚀速率及刻蚀均一性对气体比例较为敏感,SF6∶HCl＝800∶2800 mL/min 时 a-Si 刻蚀均一性为最佳。四角排气方式对维持等离子体浓度作用明显,有利于刻蚀均一性的提升。四周排气方式会破坏等离子体浓度进而破坏 a-Si 刻蚀的均一性。
关键词:
等离子体刻蚀
,
a-Si
,
均一性
,
排气方式
周玉欣
,
夏庆峰
,
孙长勇
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.03.012
研究的系统为双模压缩真空态和玻色-爱因斯坦凝聚体相互作用体系,在双光子跃迁过程中,分别用量子约化熵和量子相对熵研究了该系统中的双模压缩真空态与凝聚体间的纠缠以及双模压缩真空态的模间纠缠,分析了光场初始压缩因子、原子间相互作用对场-凝聚体间纠缠和模间纠缠的影响.
关键词:
量子光学
,
玻色-爱因斯坦凝聚
,
双模压缩真空态
,
量子纠缠
,
量子约化熵
,
量子相对熵
