覃文治
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郑家贵
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李卫
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蔡伟
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冯良桓
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蔡亚平
,
黎兵
,
张静全
,
武莉莉
,
夏庚培
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.005
为了提高 CdTe太阳电池的背接触性能,用共蒸发法制备了 ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe多晶薄膜. 研究结果表明: Cd1- xZnxTe多晶薄膜的能隙与锌含量呈二次方关系, ZnTe:Cu多晶薄膜能隙随着掺 Cu浓度的增加而减小.分别用 ZnTe/ZnTe:Cu和 Cd1- xZnxTe/ZnTe:Cu复合膜作为背接触层,既能 修饰异质结界面,改善电池的能带结构,又能防止 Cu原子向电池内部扩散.因此获得了面积 0.502cm2,转换效率为 13.38%的 CdTe多晶薄膜太阳电池.
关键词:
多晶薄膜CdTe太阳电池
,
复合背接触层
,
能隙
蒋显辉
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郑家贵
,
黎兵
,
夏庚培
,
武莉莉
,
冯良桓
,
蔡伟
,
张静全
,
李卫
,
雷智
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.01.014
通过研究大面积CdTe多晶薄膜沉积的升温过程,并调节石墨群边改进加热灯管的分布获得了较均匀的温场,在混合氩氧气氛下,用自行设计制造的近空间升华系统制备出了面积为300 mm×400 mm的大面积CdTe多晶薄膜,利用XRD、SEM研究其结构、成分和形貌,结果表明:CdTe薄膜呈(111)择优取向,且薄膜总体致密均匀,晶粒大小约为1 μm左右.用此大面积CdTe薄膜的不同部分制备的CdS/CdTe/ZnTe:Cu小面积太阳电池效率相差不大,说明薄膜的均匀性较好.
关键词:
CdTe薄膜
,
近空间升华法
,
大面积
贺剑雄
,
武莉莉
,
夏庚培
,
郑家贵
,
冯良桓
,
雷智
,
李卫
,
张静全
,
黎兵
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.01.003
用磁控溅射法制备了Al/Sb多层薄膜,通过X射线衍射(XRD)、X射线荧光(XRF)、Hall效应、暗电导率温度关系及透过谱的测试研究了退火前后薄膜的结构和性质.XRD测试结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,而Al则以非晶态形式存在,500℃退火后化合为AlSb多晶,且沿(111)择优取向.Hall效应测试、电导激活能及光能隙的计算结果表明,所制备的AlSb多晶薄膜为P型材料,且载流子浓度为10~(19) cm~(-3),光能隙为1.64eV,电导率随温度的变化可分为两个过程,在30℃到110℃,薄膜的电导率随温度的增加而缓慢增加,而在110℃到260℃间增加明显,升温电导激活能为0. 11eV和0.01eV,这与AlSb多晶薄膜在升温过程中的结构变化有关.将制备的AlSb多晶薄膜应用于TCO/CdS/AlSb/ZnTe:Cu/Au结构的太阳电池器件中,已观察到明显的光伏效应,说明用这种方法制备的AlSb多晶薄膜适于作太阳电池的吸收层.
关键词:
AlSb
,
薄膜
,
磁控溅射法
,
退火
贺剑雄
,
武莉莉
,
郑家贵
,
夏庚培
,
冯良桓
,
张静全
,
李卫
,
黎兵
功能材料
采用磁控溅射法制备了Al-Sb多层薄膜,通过调节Al和Sb亚层厚度及层数改变原子配比,并在真空中退火.用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、金相显微镜、Hall测试及俄歇电子能谱仪研究了薄膜的结构和性能.结果表明,刚沉积的薄膜只有Sb的结晶相,经500℃退火后化合为P型AlSb多晶薄膜,且沿(111)择优取向,退火温度超过600℃薄膜产生局部损伤.通过台阶仪显微摄像探头及俄歇深度剖图观察和分析了薄膜的潮解现象,提出了几种保护措施.
关键词:
AlSb
,
薄膜
,
退火
,
磁控溅射法
杨定宇
,
郑家贵
,
朱兴华
,
魏昭荣
,
夏庚培
,
冯良桓
功能材料
分别采用近空间升华法和电子束蒸发法在透明导电玻璃和普通载玻片上制备了硫化镉(CdS)多晶薄膜.对制备样品的表征结果表明:(1)两种方法制备样品都沿(002)晶向择优生长,属于六方相多晶结构,但择优取向度不同;(2)CdS薄膜表面连续而致密,粒径均匀,但两种工艺制备样品的S:Cd原子比有较大差异;(3)CdS薄膜的光能隙在2.39～2.44eV之间,电子束蒸发制备样品光能隙稍小.分析认为,两种方法制备样品的上述差异可能与衬底温度、沉积时间及成膜机制的不同相关.
关键词:
CdS多晶薄膜
,
太阳电池
,
近空间升华法
,
电子束蒸发法
