江风益
,
熊传兵
,
彭学新
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王立
,
李述体
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姚冬敏
,
莫春兰
,
李鹏
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周毛兴
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周力
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吴蔚登
,
刘和初
材料导报
关键词:
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2006.01053
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm, 长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体. XRD分析表明, 生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相, 结构属P21/c空间群. 对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论, 并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因. 晶体在380~800nm之间的透过率接近90%, 200~380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的. 不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征; 相比于紫外激发下的发射而言, X射线激发下的发射光谱略有红移. 该晶体发光符合单指数衰减模型, 衰减时间为30.74ns在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
关键词:
硼酸钆锂
,
crystal growth
,
optical transmittance
,
scintillation properties
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2007.00025
研究了80~500K范围内, 光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性. 在346nm光激发下, 热猝灭占优势, 发光随温度升高而降低. 在274nm光激发下, 发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定: 低于200K时, 能量传递占支配地位, 发光随温度升高而增强; 高于200K时, 热猝灭占优势, 发光随温度升高而减弱. 225K以下, 辐射跃迁占优势, 衰减随温度升高而略有增大; 225K以上, 无辐射跃迁占优势, 衰减随温度升高而减小. 利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式, 获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
关键词:
发光
,
decay time
,
Li6Gd(BO3)3:Ce
,
temperature dependence
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2006.05.005
采用提拉法和铂坩埚感应加热技术生长出最大尺寸为直径25mm,长40mm的Li6Gd(BO3)3:Ce晶体.XRD分析表明,生长出的晶体为单一的Li6Gd(BO3)3:Ce相,结构属P21/c空间群.对晶体生长中存在的解理开裂、应力开裂及多晶问题进行了讨论,并从晶体结构的角度解释了(020)完全解理面出现的原因.晶体在380～800nm之间的透过率接近90%,200～380nm之间的吸收是由Ce3+离子的4f-5d跃迁和Gd3+离子的4f-4f跃迁引起的.不同激发源激发下的发射均显示Ce3+离子的双谱峰特征;相比于紫外激发下的发射而言,X射线激发下的发射光谱略有红移.该晶体发光符合单指数衰减模型,衰减时间为30.74ns,在241Am源的α射线激发下晶体的能量分辨率为28.84%.
关键词:
硼酸钆锂
,
晶体生长
,
光学透过
,
闪烁性能
陈俊锋
,
李赟
,
宋桂兰
,
姚冬敏
,
袁兰英
,
齐雪君
,
王绍华
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2007.01.005
研究了80～500 K范围内,光激发下Li6Gd(BO3)3∶Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性.在346nm光激发下,热猝灭占优势,发光随温度升高而降低.在274nm光激发下,发光由Gd3+向Ce3+的能量传递和热猝灭共同决定:低于200K时,能量传递占支配地位,发光随温度升高而增强;高于200K时,热猝灭占优势,发光随温度升高而减弱.225K以下,辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而略有增大;225K以上,无辐射跃迁占优势,衰减随温度升高而减小.利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式,获取的激活能分别为0.33和0.32eV.
关键词:
发光
,
衰减时间
,
Li6Gd(BO3)3∶Ce
,
温度依赖
宋桂兰
,
姚冬敏
,
齐雪君
,
袁兰英
,
仲维卓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.06.017
本文研究了BGO熔体在急冷的条件下自发结晶的显露形貌.在急冷的条件下,组成BGO的各个面族自由发育.{321}面族、{211}面族和{111}面族都是按[GeO4]4-四面体以顶角相连的化学键链生长发育的,生长速度快,优先显露,在熔体急冷时保留下来.表面形貌显露不完整的{100}面族是[GeO4]4-四面体以棱相连所对应的面族,生长速度较慢,尚未显露完全熔体就已冷却.从生长速度考虑,在实际生长晶体时以[321]、[211]、[111]方向生长可以获得较快的速度.
关键词:
BGO晶体
,
结晶形貌
,
熔体急冷
,
生长习性
