黄锐
,
林璇英
,
余云鹏
,
林揆训
,
姚若河
,
黄文勇
,
魏俊红
,
王照奎
,
余楚迎
功能材料
报道了以SiCl4和H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积技术,在小于300℃的低温下快速生长多晶硅薄膜.实验发现, 生长速率强烈依赖于放电功率、H2/SiCl4流量比和衬底温度, 而薄膜的晶化度只依赖于放电功率和H2/SiCl4流量比,与衬底温度的关系不大.通过控制和选择工艺条件,我们获得了生长速率高达0.35nm/s,晶化度高于75%的多晶硅薄膜.薄膜的暗电导率和光电导率分别达到10-4S-1·cm-1和10-3S-1·cm-1.
关键词:
多晶硅薄膜
,
SiCl4
,
生长速率
,
晶化度
姚若河
,
林璇英
,
黄创君
,
杨坤进
,
林揆训
功能材料
利用Monte Carlo模型研究了用PCVD法沉积a-Si:H薄膜初始阶段团簇的大小和数目与衬底温度的关系.该模型考虑了两个成长阶段,即成核阶段和晶核成长阶段;3种动力学过程,即粒子入射、吸附粒子扩散和吸附粒子脱附过程.模拟结果表明,随着衬底温度的升高,团簇的数目和大小都有所增长,且存在-个最佳温度550K,使团簇的数目达到饱和,晶粒为最大,与实验结果基本相符.
关键词:
薄膜成长
,
计算机模拟
,
Monte Carlo方法
耿魁伟
,
姚若河
稀有金属材料与工程
采用高分辨透射电镜结合振动样品磁强计研究了Fe/Ru多层膜,对不同层厚的Fe/Ru多层膜的界面结构及其对磁性能的影响进行了分析.Fe层很薄时薄膜不连续,岛状分布的Fe颗粒使多层膜显示超顺磁特性.Fe/Ru界面的高分辨电镜观察发现,界面存在粗糙度的不对称性,它是多层膜中产生正磁阻的重要原因.Fe/Ru多层膜的负磁阻在退火后得到较大的提高,表明Fe/Ru多层膜的负磁阻主要来源于界面的粗糙度.
关键词:
Fe/Ru多层膜
,
界面
,
磁性
,
磁阻
黄创君
,
林璇英
,
林揆训
,
余楚迎
,
姚若河
功能材料
多晶硅薄膜是集晶体硅材料和非晶硅氢合金薄膜优点于一体,在能源科学、信息科学的微电子技术中有广泛应用的一种新型功能材料.本文综述低温(＜600℃)制备高质量多晶硅薄膜技术的研究进展及其应用,着重讨论用等离子体化学气相沉积(PECVD)硅基薄膜固相晶化制备多晶硅技术及其在薄膜硅太阳能电池上的应用.
关键词:
多晶硅
,
固相晶化
,
非晶硅氢合金薄膜
,
薄膜硅太阳能 电池
朱慧群
,
丁瑞钦
,
姚若河
,
吴桐庆
材料导报
采用射频磁控溅射法在抛光硅片上沉积了一系列ZnO薄膜样品.通过对薄膜样品X射线衍射谱的分析、原子力显微图的观察、吸收光谱和荧光光谱的研究,发现Si衬底的离子束表面氮化对ZnO薄膜的晶体结构、表面形貌和光学性质有重要影响.在衬底温度为200℃、高纯氩氧比例为3:1、压强为1.5Pa的条件下,在经离子束表面氮化预处理的Si衬底上溅射沉积的ZnO薄膜,经450℃真空退火,成为高(0002)晶面取向的ZnO薄膜,并具有良好的光学性质.
关键词:
射频磁控溅射
,
ZnO薄膜
,
离子束轰击
,
衬底表面氮化
黄庆举
,
林继平
,
魏长河
,
姚若河
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.06.023
介绍了三代太阳能电池的发展历程和最新研究进展,晶体硅太阳能电池在光伏产业中主要朝高效方向发展,认为廉价、高效多晶硅薄膜太阳能电池,是当前太阳能电池研究的热点,也是未来太阳能电池发展的方向.
关键词:
太阳能电池
,
晶体硅
,
高效电池
,
光伏产业
余楚迎
,
林璇英
,
姚若河
,
吴萍
,
林揆训
功能材料
用a一Si:H薄膜经退火晶化成的多晶硅薄膜,其晶化温度、晶粒尺寸和电性能与薄膜的初始结构有密切关系,而a-Si:H薄膜的初始结构依赖于沉积条件.用PCVD方法高速沉积的a-Si:H薄膜,经550℃的低温退火,可以制备平均晶粒尺寸为几百nn,最大晶粒尺寸为2μ,电导率为1.62(Ω·on)-1的优质多晶硅薄膜.
关键词:
多晶硅薄膜
,
衬底温度
,
掺杂比
,
晶化温度
,
晶粒尺寸
石旺舟
,
黄翀
,
姚若河
,
林揆训
,
林璇英
功能材料
采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中,其等离子体状态分别发生性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化.当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变.
关键词:
SiH
,
射频辉光放电
,
功率耗散
,
光发射谱
沈奕
,
姚若河
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.21.021
采用室温磁控溅射的方法在玻璃衬底上沉积掺 Ti 氧化铟薄膜,并在真空中采用 XeCl 准分子激光进行退火,样品的光学、电学性能、相结构分别采用分光光度计、霍尔效应测试仪和 X 射线衍射仪进行测试。结果表明,功率为100~150mJ/cm2的准分子激光照射可以使薄膜由无定形态转变为结晶态,激活所掺杂的Ti原子,降低薄膜的电阻率；增大退火功率还可以进一步降低载流子浓度,提高薄膜的透过率。经150mJ/cm2准分子激光退火的掺Ti氧化铟薄膜,其电阻率为6.93×10-4Ω·cm,透过率达到了88.4%。
关键词:
掺Ti氧化铟
,
室温沉积
,
激光退火
周雷
,
张立荣
,
宋小锋
,
吴为敬
,
姚若河
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20132803.0386
提出了一种新型有源矩阵有机发光显示用电流编程型像素驱动电路.该像素电路由3个开关薄膜晶体管、一个驱动薄膜晶体管、一个存储电容和两条控制线构成.仿真结果表明,该4T1C像素电路可以补偿薄膜晶体管阈值电压的非均匀性以及有机发光二极管阈值电压的漂移,发光电流的平均非均匀性为4.63％.值得指出的是,同传统的电流编程型像素电路相比,本像素电路存储电容的接法可有效提高电路响应速度.此外,还分析了寄生电容对像素电路工作的影响.
关键词:
有源有机发光二极管
,
薄膜晶体管
,
像素电路
,
电流编程
