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硅表面嫁接有机单分子膜的研究近况

孙乔玉 , 黄吉儿 , 力虎林 , Catherine Henry de Villeneuve , Philippe Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.001

由于在微电子、化学/生物化学传感器、纳米技术及太阳能等领域具有潜在的应用价值,通 过Si-C键在硅表面上直接嫁接有机单分子膜,已成为近几年新开展的研究热点. 对这一研究领域进行了概要综述.

关键词: 硅 , 有机单分子膜 , 嫁接 , 综述

界面微分电容法单晶硅表面单分子膜质量的检测

孙乔玉 , 力虎林 , Catherine Henry de Villeneuve , Philippe Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2002.06.007

用界面电容分析法,研究了影响烯烃类分子在氢结尾的硅(111)表面上通过Si-C 键嫁接有机单分子膜的某些因素和有机单分子膜对硅表面氧化的钝化作用. 指出嫁接反应条件或嫁接分子的反应活性的差异都会影响所形成的单分子膜的质量;在所选择的反应条件下,由于烯烃修饰的硅表面上嫁接分子所占的体积分数约为0.90,故只能对硅 表面的氧化产生有限的钝化作用. 另外,系统测量了不同链长的烯烃分子形成的有机单分子膜的电容特性参数.

关键词: 硅表面 , 有机嫁接单分子膜 , 界面微分电容分析

醇类在Si-H表面形成单分子膜的特性

孙乔玉 , 黄吉儿 , C.Henry de Villeneuve , 力虎林 , P.Allongue

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2003.06.011

以界面电容分析法为主并结合XPS、AFM技术研究了醇类分子在Si(111)-H表面上形成的有机单分子膜的特性. 并探讨了嫁接反应中影响单分子膜特性的某些因素和单分子膜的稳定性及其对硅表面氧化的钝化作用. 在所选择的反应条件下,不同链长醇分子修饰的硅表面上,嫁接分子所占体积分数约为80%,平带电位约为-1.00 V(vs.SSE). 研究表明,这类膜稳定性和对硅表面氧化的钝化作用非常有限.

关键词: Si(111)-H表面,单分子膜,醇类

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