张恩霞
,
孙佳胤
,
易万兵
,
陈静
,
金波
,
陈猛
,
张正选
,
张国强
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.008
采用氧氮共注的方法制备了氮氧共注隔离 SOI (SIMON) 圆片,对制备的样品进行了二次离 子质谱和透射电镜分析,并对埋层结构与抗辐射性能的机理进行了分析.结果表明,注氮剂量较低 时埋层质量较好.机理分析结果表明,圆片的抗辐照性能与埋层质量之间存在很密切的关系,埋层 的绝缘性能是影响器件抗辐射效应的关键因素.
关键词:
氧氮共注
,
氮氧共注隔离
,
SIMON
,
SOI
,
注入剂量
孙佳胤
,
陈静
,
王曦
,
王建峰
,
刘卫
,
朱建军
,
杨辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.04.012
本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制.采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段.结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用.薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力.
关键词:
绝缘体上的硅
,
氮化镓
,
金属有机物化学气相外延
,
降低应力
杨志峰
,
陈静
,
孙佳胤
,
武爱民
,
王曦
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.010
通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型.对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m.SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大.通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题.
关键词:
SOI
,
GaN
,
热膨胀系数
,
热应力
