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多孔硅气体传感器的制备及其气敏性能的研究

李东海 , 胡明 , 孙凤云 , 陈鹏 , 孙鹏

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2009.04.017

以P+型硅片为基底,利用双槽电化学腐蚀方法制备不同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon),介绍多孔硅气体传感器的原理和优点,通过SEM和AFM对PS薄膜的表面形貌进行分析,研究不同孔隙率条件下PS薄膜的气敏灵敏特性.结果表明:随着孔隙率的增加,PS薄膜的响应/恢复时间不断减小,薄膜对空气中较低浓度的NO2(体积分数为0.1×10-6~6×10-6)具有优异的敏感特性和响应特性.

关键词: NO2气体传感器 , 多孔硅 , 灵敏度 , 孔隙率

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