陈小庆
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孙利杰
,
邬小鹏
,
钟泽
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傅竹西
功能材料
用MOCVD方法在Si基片上生长了Al掺杂的SiC薄膜,发现三甲基铝(TMA)源载气流量与硅烷流量之比的大小,会决定薄膜的导电类型.用XPS方法测试样品后发现,TMA载气流量与硅烷流量比直接影响Al原子在SiC薄膜中的含量.Al含量在1.5%以下,Al原子在SiC薄膜中主要以填隙形式(Ali)存在,薄膜显示出n型;而Al含量在1.5%～3%之间的时候,Al原子主要以替位Si(AlSi)的形式存在,薄膜显示出p型.继续增加掺杂源的流量,所得SiC薄膜结晶质量会变得较差,电阻也变得较高.
关键词:
3C-SiC
,
SiC:Al
,
MOCVD
,
导电类型
王典
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仇寻
,
仇原鹰
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郭祥虎
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孙利杰
人工晶体学报
针对砷化镓太阳能电池键合过程中键合界面位错密度过大、部分区域解键合等问题,通过金-金热压键合技术结合有限元方法,提出了一系列降低结构热应力的有效途径.以砷化镓薄膜电池GaAs/Au/PI晶圆片为研究对象,建立三维电池模型,观察和分析了在热和压力同时作用下键合界面的热应力分布及结构变形情况,并探究了金层厚度与热压曲线对结构热应力的影响.分析结果表明,所提出的改进方法使结构热应力大大减少,提高了电池的键合率.
关键词:
砷化镓电池
,
金-金热压键合
,
键合界面
,
热应力
