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烷基环己基苯类液晶的质谱裂解规律研究

王毅 , 张苹 , 吴生秀 , 权武军 , 李建涛 , 刘亚军 , 孙媛媛 , 赵彤

液晶与显示 doi:10.3788/YJYXS20163111.1046

利用气相色谱质谱联用仪(GCMS)对烷基环己基苯、烷基环己基联苯两类液晶单体共72个化合物在 EI 离子化模式下进行分析,结果表明此两类化合物具有相同的裂解途径和裂解机理。为烷基环己基苯类衍生物的结构解析与质量监测提供参考。其裂解途径主要为与苯环连接的环己烷发生开环裂解反应,生成特征的:苯乙烯(联苯乙烯)基的奇电子离子、苯丙烯(联苯丙烯)基的偶电子离子以及卓鎓偶电子离子。当苯环部分含有乙氧基以上取代基时,分子离子及其特征离子会发生重排脱去烯烃生成对应的苯(联苯)酚离子。对于环己基联苯类化合物在特征离子生成的基础上会进一步生成质量数减少2的脱氢离子。

关键词: 液晶 , 气相色谱-质谱联用分析 , 裂解机理 , 烷基环己基苯 , 烷基环己基联苯

二乙烯三胺五乙酸(DTPA)提取ICP-AES法测定土壤中有效态元素

孙媛媛 , 孙友宝 , 盖荣银 , 马晓玲 , 王娟娟 , 邓晓丽 , 黄涛宏

环境化学

本文参考《土壤有效态元素的测定二乙烯三胺五乙酸提取/电感耦合等离子体原子发射光谱法》最新环境验证标准和《《ISO 14870-2001》方法标准,采用二乙烯三胺五乙酸(DTPA)作为提取剂,提取土壤中有效态铜、铁、锰、锌、镉、铬、镍和铅等元素并使用ICP-AES法进行了测定.该前处理方法不同于传统的元素全量消解方法,无需添加高腐蚀性、高氧化性的强酸.实验结果表明,方法线性相关系数良好,r>0.9999,精密度RSD<0.7%,测定结果与土壤标准物质GBW07414a中的有效态元素标准值吻合.

关键词: 土壤 , 有效态元素 , DTPA

贫燃条件 In-Ag/TiO2-γ-Al2O3催化 CO选择性还原NO

吴爽 , 李学兵 , 方向晨 , 孙媛媛 , 孙京 , 周明东 , 臧树良

催化学报 doi:10.1016/S1872-2067(16)62533-0

汽车尾气中主要污染成分 CO和 NOx可导致酸雨、光化学烟雾和臭氧空洞效应,对生物、环境及生态系统造成重大危害。污染源中 CO是性能优良的还原剂,如能不添加还原剂实现 CO催化还原 NOx,将成为最具经济技术优势的 NOx脱除技术。在富氧、低温条件下,利用 CO选择性催化还原 NOx为 N2,是目前选择性催化还原研究中的热点和难点。催化 CO还原 NOx常用的贵金属 Ir, Rh, Pt和Pd矿藏稀少,价格昂贵,有氧条件下活性急降,而分子筛催化剂和一些金属氧化物催化剂普遍存在反应温度高,尤其对 N2选择性差等问题。为解决上述问题,需寻找新的适合我国矿产资源的催化体系。研究发现,稀散金属基催化剂对氮氧化物的净化具有一定效果,因而可将我国的稀散金属资源优势转化为技术优势和经济优势。因此,本文以 TiO2-γ-Al2O3(TA)为载体, In/Ag为活性组分,采用等体积浸渍法制备了 InAg/TA以及 In/TA, Ag/TA和InAg/Al (γ-Al2O3为载体)催化剂,考察了贫燃条件下 CO选择性还原NO的催化活性。研究表明,双金属催化剂InAg/Al和 InAg/TA的活性比单金属催化剂In/TA和 Ag/TA高, In/TA催化剂中引入 Ag物种能降低起燃温度;另外,相比于InAg/Al催化剂, InAg/TA催化剂具有较高的催化活性,550?600°C时 N2产率超过60%,说明载体中引入TiO2可以提高催化剂活性。为了深入研究 InAg/TA催化剂中 Ag物种和TiO2对 In物种的作用,通过比表面测定、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、X射线光电子能谱、紫外-可见光吸收光谱、氢气程序升温还原、傅立叶变换红外线光谱等方法分析了催化剂结构和表面形态。结果表明, Ag物种可以提高 In物种的分散性, In和 Ag物种在 TA载体表面可以很好地分散,从而有利于提高催化活性。 In和 Ag物种在 TA载体表面以氧化态形式存在,并且 Ag物种可以提高 In物种表面含量,表面 In和 Ag物种含量越高,吸附活性位越多,催化活性越高;同时, TiO2也可以促进 NO吸附,从而提高 InAg/TA催化剂活性。 InAg/TA催化剂在450°C连续反应72 h进行稳定性测试,测试前后分别在50?600°C进行活性测试,并用 XRD和 TEM对反应后的催化剂进行表征测试。结果表明, InAg/TA催化剂具有较好的稳定性,连续反应前后催化剂活性基本保持不变,推测可能由于在有 CO和O2存在的体系中, Ag物种利用自身 Ag+与 Ag0之间的氧化还原反应抑制了活性组分 In2O3的还原和聚集,稳定了 In物种乃至催化剂活性。 InAg/TA催化剂用于贫燃条件下CO还原NO具有较好的催化效果,主要归因于催化剂活性组分分散性好,稳定性高,对NO吸附能力强。 Ag物种可以稳定In物种并提高其分散性, TiO2可以改善In物种和Ag物种的分散性并促进NO吸附。

关键词: 一氧化碳还原一氧化氮 , 贫燃 , 铟/银双金属催化剂 , 脱硝

柔性有机薄膜电致发光显示材料及器件

孙媛媛 , 华玉林 , 印寿根 , 冯秀岚 , 郑加金 , 王树国

功能材料

有机薄膜电致发光显示器件(OLED)近年来得到了迅猛发展,是未来全固体平板式彩色显示器的重要候选者,其最大优势之一是可以制作成柔性显示器件.本文综述了柔性有机电致发光材料及器件的发展概况、工作原理与优缺点,目前制作此类器件中存在的困难及解决这些困难的有效措施.

关键词: 柔性有机电致发光显示器件 , 柔性衬底 , 寿命 , 有源矩阵驱动

利用硅切割废砂浆制备Si3N4结合SiC耐火材料

孙媛媛 , 唐惠东 , 李龙珠 , 孙友宝

耐火材料

以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35~35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯体,在1450℃氮气气氛中烧结制备了Si3N4结合SiC耐火材料,然后检测其常温抗折强度、显气孔率、体积密度,并进行XRD分析.结果表明:烧后试样的常温抗折强度较高,最高达50.2 MPa,但致密度较低,显气孔率在31.20%~35.64%之间;烧后试样中只有SiC和Si3N4两相,单质Si已完全氮化生成了Si3N4.

关键词: Si3N4结合SiC材料 , 硅切割废砂浆 , 反应烧结

正交试验优选光伏硅切割废砂浆的除铁工艺

孙媛媛 , 唐惠东 , 刘淑红 , 孙友宝

硅酸盐通报

光伏硅切割废砂浆含铁量较高,影响回收利用,采用硫酸浸溶法对其去进行除铁,通过正交试验分析废砂浆与硫酸溶液质量比、硫酸浓度、浸溶温度及浸溶时间对铁浸出量的影响,得出较优工艺条件为:硅切割废砂浆与硫酸溶液的质量比1∶4,硫酸浓度20%,浸泡温度80℃,浸泡时间80 min,通过验证实验表明所选工艺条件是可行的.

关键词: 硅割废砂浆 , 酸浸溶法 , 除铁 , 正交试验

利用硅切割废砂浆制备Si3N4结合SiC耐火材料

孙媛媛 , 唐惠东 , 李龙珠 , 孙友宝

耐火材料

以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35~35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯体,在1450℃氮气气氛中烧结制备了Si3N4结合SiC耐火材料,然后检测其常温抗折强度、显气孔率、体积密度,并进行XRD分析.结果表明:烧后试样的常温抗折强度较高,最高达50.2 MPa,但致密度较低,显气孔率在31.20%~35.64%之间;烧后试样中只有SiC和Si3N4两相,单质Si已完全氮化生成了Si3N4.

关键词: Si3N4结合SiC材料 , 硅切割废砂浆 , 反应烧结

利用硅切割废砂浆制备Si3N4结合SiC耐火材料

孙媛媛 , 唐惠东 , 李龙珠 , 孙友宝

耐火材料

以光伏企业线切割硅产生的废砂浆(其w(SiC)=25%,w(Si)=60%)为主要原料,加入不同比例的SiC粉(废砂浆与SiC粉的质量比为65∶35~35∶65),加无水乙醇球磨、干燥、加PVA造粒后,以10 MPa压力(保压1 min)成型为55 mm×5 mm×5 mm的坯体,在1450℃氮气气氛中烧结制备了Si3N4结合SiC耐火材料,然后检测其常温抗折强度、显气孔率、体积密度,并进行XRD分析.结果表明:烧后试样的常温抗折强度较高,最高达50.2 MPa,但致密度较低,显气孔率在31.20%~35.64%之间;烧后试样中只有SiC和Si3N4两相,单质Si已完全氮化生成了Si3N4.

关键词: Si3N4结合SiC材料 , 硅切割废砂浆 , 反应烧结

固体废弃物在硅酸盐工业中的资源化再利用

孙媛媛

硅酸盐通报 doi:10.3969/j.issn.1001-1625.2007.06.025

可用于硅酸盐工业(水泥工业、玻璃工业、陶瓷工业)领域中的固体废弃物种类多,用量大,有着广阔的前景,加大硅酸盐工业再利用废弃物的研究,对保护环境,促进经济的可持续性发展具有重要意义.

关键词: 固体废弃物 , 水泥工业 , 玻璃工业 , 陶瓷工业

无定型Si-C-O-N涂层用于SSiC陶瓷的表面改性研究

唐惠东 , 孙媛媛 , 李龙珠 , 谭寿洪

硅酸盐通报

为了改善SSiC陶瓷反射率较低的情况,采用RF磁控溅射法在SSiC陶瓷表面涂覆了无定型Si-C-O-N涂层.借助XRD、FTIR、XPS等手段对涂层进行了表征,并在可见光波长范围内测量了涂层的反射率.结果显示:涂层主要由Si-N、Si-C和Si-O键组成,涂层抛光后其表面缺陷明显减少,表面粗糙度可达埃级,在可见光波段可将反射率的最低值提升至90%.并运用标量散射理论分析了反射率提高的主要原因.

关键词: SSiC , Si-C-O-N涂层 , 反射率 , 标量散射理论

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