孙成礼
,
张树人
,
周晓华
,
李波
材料导报
以碱式碳酸镁和SiO2为原料,采用固相反应法合成MgzSiO4.结果表明,当Mg/Si比为2∶1.2,在1200℃以上空气气氛中预烧3h,能合成出单相的Mg2SiO4.在1280～1340℃保温2h烧结成瓷后,其1MH2介电常数为7.05±0.05,损耗角正切变化范围在(2～5)×10-4之间,体积密度为(3.1±0.5)g/cm3.
关键词:
Mg2SiO4
,
固相反应
,
低介材料
赵麒植
,
张树人
,
唐斌
,
周晓华
,
孙成礼
材料科学与工程学报
Mg2SiO4粉体的形貌和粒度.最终获得的MgTiO3陶瓷1MHz下的介电常数为17.3,损耗角正切1.3 × 10-4,Mg2SiO4陶瓷1MHz下的介电常数为6.9,损耗角正切2.5×10-4.
关键词:
钛酸镁
,
镁橄榄石
,
固相合成
,
非化学计量比
,
介电性能
