李志林
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刘志林
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孙振国
金属学报
以固体与分子经验电子理论（ＥＥＴ）和改进的Ｔｈｏｍａｎ－Ｆｅｒｍｉ－Ｄｉｒａｃ（ＴＦＤ）理论为基础, 以合金奥氏体, 合金马氏体及其界面为例, 给出了相结构因子ｎＡ, Ｆ＾Ｄｃ, Ｓ和界面结合因子ρ, △ρ, σ的计算方法, 计算了常用合金元素在０．２％Ｃ和１．０％Ｃ钢中的相结合因子和界面结合因子, 用相结构因子和界面结合因子阐述了强韧性良好的２０ＣｒＮｉ３钢和２０Ｃｒ２Ｎｉ４钢的强韧化机制和耐磨性极高的ＺＧＢＭｎ.
关键词:
相结构因子
,
null
,
null
孙振国
,
初善科
,
于鹏恩
材料科学与工艺
本文以一元合金奥氏体为研究对象,应用原子状态判定因子w来确定Fe-C-Me晶胞中各原子的杂化状态.分析结果表明,Fe-C-Me晶胞中Fe~C、Fe~f原子的杂化状态因Me原子的作用而与Fe-C晶胞中的Fe~C、Fe~f原子的杂化状态相比发生了改变,不同的Me原子使Fe~C、Fe~f原子的杂化状态发生改变的程度不同.在FeC-Cr晶胞中,Cr、Fe~C、Fe~f原子的杂化状态分别为A8(或A7)、B14和B15;在Fe-C-W晶胞中,w、Fe~C、Fe~f原子的杂化状态分别为C1(或X2)、B13和B14;在Fe-C-Si晶胞中,Si、Fe~C、Fe~f原子的杂化状态分别为A3(Al或C2)、B15和B16(或B17);而在Fe-C-Mn晶胞中,Mn、Fe~C、Fe~f原子的杂化状态则分别为C11、B14(或B13)和B15.
关键词:
合金奥氏体
,
价电子结构
,
原子杂化状态
孙振国
,
瞿晓剑
,
初善科
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2006.05.015
为在价电子结构层次分析和研究A1型与A2型结构滑移面问题,以"固体与分子经验电子理论"为指导,计算了A1型与A2型结构的低指数晶面的价电子结构,提出了表征晶体沿晶面发生滑移难易的价电子结构参数F及其计算方法.研究结果表明,在A1型结构中,{111}面的F值最小,在A2型结构中,{110}面的F值最小,并以此解释了A1型与A2型结构滑移面分别为{111}与{110}这一金属学问题,从而把滑移面的本质追溯到金属平面的价电子结构上.
关键词:
A1型结构
,
A2型结构
,
滑移面
,
价电子结构
孙振国
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瞿晓剑
,
顾琳
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2005.05.008
为在价电子结构层次研究代位固溶体与间隙固溶体强化差异的本质,建立了代位固溶体含溶质晶胞点阵常数的计算公式,以余(瑞璜)氏固体与分子经验电子理论为基础,按BLD(键距差分析方法)分析方法计算了代位固溶体含溶质晶胞的价电子结构.结果表明:代位固溶体中含溶质原子晶胞的nA值与不含溶质原子晶胞的nA值相差无几,而间隙固溶体中含溶质原子晶胞的nA值远高于不含溶质原子晶胞的nA值.这-信息从价电子结构的角度深刻揭示了两种固溶体强化程度存有严重差异的本质,从而把固溶体强化的机制追溯到固溶体的价电子结构.
关键词:
固溶体
,
价电子结构
,
固溶强化
