王丽
,
赵德刚
,
侯小伟
,
史啸亚
,
孙正亮
,
江莞
,
陈立东
稀有金属材料与工程
无机clathrate结构化合物是非常有前景的热电材料.在镓取代的锗基clathrate结构热电材料的合成中,普遍存在锗的第二相.本研究合成了多晶Sr_8Ga_(16)Ge_(30) clathrates 结构热电材料.用X射线衍射结合样品抛光表面的背散射电子像对样品中锗相的含量进行表征.测试可知,材料表现为n型半导体,随着Ge相含量的增大,Seebeck系数绝对值增大,电导和热导率减小.功率因子最大为12.8 μW·K~(-2)cm~(-1).Sr_8Ga_(16)Ge_(30)样品在650 K的最大ZT值达到0.65.
关键词:
clathrate结构
,
热电性能
,
锗
孙正亮
,
陈立东
材料科学与工程学报
近年来,低维热电材料以其优越的性能而受到研究人员的关注,但合成方法多局限于成本较高的物理法.本文采用简便的化学浴沉积法成功地制备出硒化铋纳米结构薄膜.以硝酸铋、硒代硫酸钠分别作为铋源和硒源,以氨三乙酸作为配位剂,在硅片上沉积出由[001]取向的纳米片组成的硒化铋纳米结构薄膜.薄片厚度在50～100nm.性能表征显示合成出的薄膜室温下电导和赛贝克系数分别为9.2×10~3Sm~(-1)和-98μVK~(-1).该法具有低成本、易操作、易于大规模生长等优点,为薄膜的器件化打下基础.
关键词:
Bi_2Se_3薄膜
,
化学浴沉积
