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NH3-MBE生长极化场二维电子气材料

孙殿照 , 刘宏新 , 王军喜 , 王晓亮 , 刘成海 , 曾一平 , 李晋闽 , 林兰英

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.04.013

介绍了用NH3-MBE技术在蓝宝石C面上外延的高质量的GaN单层膜以及GaN/AlN/GaN极化感应二维电子气材料.外延膜都是N面材料.形成的二维电子气是"倒置二维电子气".GaN 单层膜的室温电子迁移率为300cm2/Vs.二维电子气材料的迁移率为680cm2/Vs(RT)和1700cm2/Vs(77K),相应的二维电子气的面密度为3.2×1013cm-2 (RT)和2.6x1013cm-2 (77K ).

关键词: 氮化镓 , GaN , 分子束外延 , 二维电子气 , 极化

气态源分子束外延生长GexSi1-x/Si异质结合金

刘学锋 , 李建平 , 孙殿照

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.01.005

采用气态源分子束外延法成功地生长了GexSi1-x/Si异质结合金材料, 所使用的气体分别是乙硅烷和锗烷. 高能电子衍射被用于原位监控生长层的表面重构状态. 在一定的生长温度下, GexSi1-x合金组分x取决于锗烷和乙硅烷的流量比. 外延层的表面形貌与锗组分的大小、生长层的厚度及生长温度有关. 结果表明, 较大的锗组分和较高的生长温度利于由二维模式向三维模式转变的外延生长.

关键词: GexSi1-x异质结 , 气态源分子束外延 , 共度生长 , 晶格匹配

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