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高分子辅助化学溶液沉积制备涂层导体CeO2缓冲层

李果 , 蒲明华 , 孙瑞萍 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , 雷鸣 , 张红 , 杨烨 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

分别采用两种高分子辅助化学溶液沉积方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上制备了涂层导体CeO2缓冲层.结果表明,制得的CeO2缓冲层双轴织构良好,表面无裂纹.比较两种不同的高分子辅助方法,利用聚甲基丙烯酸辅助制得的CeO2表面平整,均方根粗糙度在1 μm×1μm的范围内仅为2 nm,粗糙度远小于利用聚乙烯醇辅助沉积而得的CeO2缓冲层.

关键词: CeO2缓冲层 , 高分子辅助 , 化学溶液沉积

一种新型化学溶液沉积法制备涂层导体用RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层

雷鸣 , 李果 , 孙瑞萍 , 蒲明华 , 王文涛 , 武伟 , 张欣 , 张红 , 张勇 , 程翠华 , 赵勇

稀有金属材料与工程

用一种新的化学溶液沉积方法在双轴织构NiW (200)合金基底上制备了涂层导体用稀土氧化物RE2O3(RE=Y, Sm, Eu, Dy, Yb)缓冲层.分别利用X射线衍射,扫描电子显微镜,原子力显微镜对制得的RE2O3缓冲层的相结构、织构、表面形貌和平整度进行了检测.结果表明,RE2O3缓冲层具有较好的双轴织构,表面平整无裂纹.

关键词: RE2O3缓冲层 , 化学溶液沉积 , 双轴织构

化学溶液沉积制备涂层导体Eu0.3Ce0.7O1.85-x单一缓冲层

孙瑞萍 , 李果 , 蒲明华 , 王文涛 , 张欣 , 武伟 , 杨烨 , 赵勇

稀有金属材料与工程

采用高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)方法,在双轴织构的NiW(200)合金基底上沉积了厚度大于160 nm的Eu0.3Ce0.701.85-x(ECO)单一缓冲层.制得的ECO缓冲层双轴织构良好,表面平整、无裂纹.同时,Eu的掺杂提高了CeO2单一缓冲层薄膜的临界厚度.在沉积了ECO缓冲层的NiW基带上外延生长的YBCO薄膜,超导零电阻转变温度Tc0=86K,临界电流密度达到Jc(O T,77 K)=0.4 MA/cm2.本研究提供了一种操作简单、成本低廉、性能优良的制备涂层导体单一缓冲层的方法.

关键词: Eu掺杂 , CeO2单一缓冲层 , 高分子辅助化学溶液沉积(PACSD)

涂层导体DyBiO3(DBO)缓冲层的低温制备

孙瑞萍 , 李果 , 蒲明华 , 王文涛 , 赵勇

稀有金属材料与工程

通过685~750 ℃之间进行低温成相,在LaAlO3 (LAO)单晶基底上沉积得到了有较大应用前景的涂层导体DyBiO3 (DBO)缓冲层.结果表明:所得的缓冲层c轴取向良好,致密、平整、无裂纹.当温度大于750 ℃时,DBO表面开始变得粗糙.沉积在DBO缓冲层上的YBCO超导层c轴织构的样品,样品表面平整均匀,超导转变温度在90 K左右,临界电流密度大于1 MA/cm2.从工业应用角度讲,低温的缓冲层制备具有极大的经济优势,应用前景更为广泛.

关键词: 涂层导体 , DyBiO3缓冲层 , 低温成相

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