赵占霞
,
栗敏
,
詹颜
,
王德明
,
马忠权
,
孙铁囤
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.017
用高频溅射法在P型硅衬底上生长了纳米硅薄膜,衬底温度控制在95℃左右,工作气体选用H2+Ar,氢气的分压控制在31%到70%,同时改变薄膜的沉积时间.Tauc曲线显示出用射频溅射法制备的薄膜是一种宽带隙材料.结合实验数据,在HQD理论基础上,给出了这种薄膜的能带结构图,并在理论和实验上分别对薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性进行了研究.
关键词:
纳米硅薄膜
,
RF溅射
,
Ⅰ-Ⅴ曲线
,
能带模型
