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大屏幕投影拼接系统的设计

柴海峰 , 高国保 , 郝大收 , 李学东 , 王中 , 杭力 , 刘召军 , 孙鹏飞 , 吴春亚 , 孟志国 , 熊绍珍

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2007.03.020

设计了一个可实现无缝拼接系统的研究示例:将一个高分辨率的图像分为两个分图像,按两部分在边缘交叠的方式分别投影.在投影之前,选用简单的线性函数关系,对待重叠部分进行了淡入淡出的处理,经这样叠加后重叠部分的重叠痕迹可适当消除.但鉴于像素信号与亮度之间还应满足伽马(Garoma)关系,故在处理过程中同时进行了Gamma校正的设计.研究过程中,考虑到不同成像终端之间,在色度表征方式以及Gamma校正已有自身规则,可方便转换,文章从简化研究出发,首次采用当前计算机监视器的液晶屏为投影成像的终端,研究它的融合结果,并实测融合图像部分的光强,以检查融合的实际效果.发现采用简单的线性函数并选择2.15的Gamma校正值,较之未作伽马校正前的,能改善融合区与未处理区的亮度差异达两个量级.最后给出了经这样处理后在液晶显示屏上获得较为良好的拼接效果.

关键词: 数字光处理 , 无缝拼接 , 边缘融合 , Garoma校正

硅基液晶显示器研究进展

代永平 , 耿卫东 , 孟志国 , 孙钟林 , 王隆望

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.05.009

硅基液晶(Liquid Crystal on Silicon)显示器是一种反射式液晶显示器,其周边驱动器和有源像素矩阵使用CMOS技术制作在单晶硅上,并以该晶片为基底封装液晶盒,因而拥有小尺寸和高显示分辨率的双重特性.详细讨论了LCoS显示器的结构和用途,展示了LCoS显示芯片的实际设计结果及其设计方法.

关键词: 硅基液晶(LCoS)屏 , 片上系统(SoC) , 反射式 , 版图

LCoS场序彩色显示控制器的设计

耿卫东 , 代永平 , 任立儒 , 孟志国 , 孙钟林

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2003.03.008

介绍了一种采用LCoS显示芯片的场序彩色显示控制器的设计方案,该方案采用VHDL语言进行设计,在Xilinx公司的Fundation2.1i环境中,进行了编译、综合和仿真.并通过XCS系列FPGA进行了功能验证.对显示控制器的各部分电路功能进行了讨论,给出了具体的设计方案和实现方法.

关键词: 硅上液晶 , 场序彩色 , 显示控制器 , 硬件描述语言

基于溶液法的金属诱导碟型晶畴多晶硅薄膜和薄膜晶体管的研究

赵淑云 , 孟志国 , 吴春亚 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2009.06.008

以非晶硅为晶化前驱物,采用镍盐溶液浸沾的方法可以得到超大尺寸碟型晶畴结构的低温多晶硅薄膜.所得多晶硅薄膜的平均晶畴尺寸大约为50 μm,空穴的最高霍尔迁移率为30.8 cm~2/V·s,电子的最高霍尔迁移率为45.6 cm~2/V·s.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为70~80 cm~2 /V·s,亚阈值斜摆幅为1.5 V/decade,开关电流比为1.01×10~7,开启电压为-8.3 V.另外,P型的TFT在高栅偏压和热载流子偏压下具有良好的器件稳定性.

关键词: 碟型晶畴多晶硅薄膜 , 多晶硅TFTs , TFT稳定性

基于溶液法的规则排列连续晶畴的金属诱导多晶硅薄膜及薄膜晶体管

赵淑云 , 孟志国 , 王文 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.03.007

介绍了一种新的金属诱导多晶硅技术.该技术的核心是预设规则化晶核定位孔和镍源补充孔与溶液浸蘸技术的结合.以定位孔为晶化的起始点,晶化过程中消耗的镍可通过分布在周边的镍源补充孔中的镍给予补充.这样可以大大降低晶核定位孔中的初始镍量,使整个多晶硅薄膜中不存在明显的高镍含量区.即包括晶核定位孔、镍源补充孔在内的整个多晶硅薄膜区域内,能形成连续晶畴的多晶硅薄膜,都可作为高质量TFT的有源层.根据晶核定位孔分布形式的不同,可以设计成规则、重复的分布形式,获得正六边形的蜂巢晶体薄膜和准平行晶带晶体薄膜.这些规则形成的晶畴形状与尺寸相同,可准确地控制晶化的过程,具有晶化时间的高可控性和工艺过程的高稳定性,故而适合于工业化生产的要求.利用些技术,当温度为590℃时,可将晶化时间缩短至2 h之内.用这种多晶硅薄膜为有源层,所得多晶硅TFT的场效应迁移率典型值为~55 cm2/V·s,亚阈值斜摆幅为0.6 V/dec,开关电流比为~1×107,开启电压为-3 V.

关键词: 金属诱导晶化 , 规则排列连续晶畴 , 薄膜晶体管 , 低温多晶硅

高性能金属诱导单向横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术和应用

王文 , 孟志国 , 郭海成

液晶与显示 doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2002.05.002

低温金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术与常规的固相晶化多晶硅薄膜晶体管相比,制作工艺简单,而且提高了场效应迁移率和漏极击穿电压,降低了漏电电流,改进了器件参数空间分布的均匀性.我们使用金属单向诱导横向晶化多晶硅薄膜晶体管技术,成功地制作了有源矩阵液晶显示器和有源矩阵有机发光二极管显示器.

关键词: 金属诱导横向晶化 , 多晶硅薄膜晶体管 , 有源平板显示器

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