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Ag/ZnO纳米复合抗菌剂解团聚工艺及机制

孟阿兰 , 岑伟 , 李镇江 , 郭锋 , 耿在丹 , 张振华

稀有金属材料与工程

采用沉降实验、激光粒度分布、透射电镜等手段,研究PVPK17对Ag/ZnO纳米复合抗菌剂的解团聚的影响及机制,同时采用最小抑菌浓度对解团聚前后的抗菌性能进行表征.结果表明:经PVPK:17解团聚后的Ag/ZnO纳米复合抗菌剂可在异丙醇中稳定悬浮6 d以上,分散后的Ag/ZnO纳米复合抗菌剂的平均粒度可达51.3 nm,当加入PVPK17的质量百分数为40%时达到最佳分散效果.用透射电镜观测表明,解团聚的Ag/ZnO纳米复合抗菌剂分散较好,在此基础上建立了PVPk17对Ag/ZnO纳米复合抗菌剂的解团聚模型.抗菌实验表明,分散后的Ag/ZnO纳米复合抗菌剂的MIC可达50mg/L,抗菌性能良好.

关键词: 解团聚 , PVP , Ag/ZnO , 纳米复合抗菌剂

镊子状GaN纳米材料的合成、机理及光致发光特性

孟阿兰 , 汪传生 , 蔺玉胜 , 侯俊英 , 李镇江

稀有金属材料与工程

报道了1种新形态的GaN低维纳米材料--镊子状纳米GaN的合成及其新颖的光致发光特性.首先,对单晶MgO基片表面进行化学刻蚀,使其表面形成规则的小山峰样突起结构.随后,通过金属镓与氨气反应,在经上述特殊处理后的立方MgO单晶基片上,首次成功地合成出镊子状纳米GaN.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、透射电镜及选区电子衍射结果表明:镊子状纳米GaN是由底部的1根直径大约为100 nm~150 nm的纳米棒和上部的2根直径大约为40 nm~70nm的纳米针组成;纳米镊子是具有立方闪锌矿结构的GaN单晶.光致发光谱研究表明,镊子状纳米GaN在450nm左右有1个宽的强发光峰,该发光峰处于蓝带发光区.此外,在418 nm,450 nm及469 nm处各有1个劈裂峰.

关键词: 镊子状纳米GaN , 合成 , 光致发光特性

不同形貌Ga2O3纳米材料可控合成工艺研究

孟阿兰 , 高卫东 , 李镇江 , 万里冰

稀有金属材料与工程

通过研究基片种类、加热温度、保温时间、冷却速度及是否加入催化剂等不同工艺参数对低维Ga2O3纳米材料形貌的影响,确定出合成5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料的工艺条件.场发射扫描电镜(FE-SEM)表明5种不同形貌β-Ga2O3纳米材料分别为纳米线、纳米棒、纳米带、纳米环及纳米片.X射线衍射(X-ray)分析结果表明不同形貌纳米材料均为晶格常数α=1.223 nm,b=0.304 nm,c=0.58 nm,α=90°,β=103.7°,γ=90°的单斜晶系β-Ga2O3晶体.

关键词: β-Ga2O3纳米材料 , 不同形貌 , 合成 , 形成机理

大面积SiC纳米线网的合成及形成机理

孟阿兰 , 李镇江 , 张灿英 , 蔺玉胜 , 张淼

稀有金属材料与工程

利用气相化学反应法,在相对低的温度下,于自制石墨反应室中合成出二维半导体β-SiC纳米线网.该方法使用球磨及研磨混合后的Si和SiO2混合粉体及C3H6气体为原材料,通过调整基片与原料混合粉在石墨反应室的摆放位置、C3H6通入流量和时间、保温时间及其它工艺参数,可获得二维半导体β-SiC纳米线网.场发射扫描电镜、能量损失谱、X-Ray衍射、高分辨透射电镜结果表明:纳米线彼此相连形成二维纳米线网,并且纳米线的直径大约在20 nm~70nm左右.值得注意的是绝大多数纳米线网的连接点是由3根纳米线交汇而成.纳米线是具有立方结构的β-SiC,其生长方向是〈111〉,并且存在大量面缺陷.最后对这种新型二维SiC纳米线网的形成机理进行了探讨.

关键词: SiC纳米线网 , 合成 , 形成机理

基于Fe催化条件下周期性VLS机制大量合成SiC纳米棒的研究

李镇江 , 高卫东 , 孟阿兰 , 李迎春

功能材料

通过简单化学气相反应法,在1300℃下合成出大量SiC纳米棒产物,着重研究了Fe催化条件下该SiC纳米棒的生长机制.采用数码相机、立式显微镜、场发射扫描电镜、能谱分析仪、透射电镜、选区电子衍射仪、高分辨透射电镜及X射线粉末衍射仪对产物的宏观产量、微观形貌、化学成分及晶体结构进行了表征.结果表明,石墨基片上生成1层较厚的浅蓝色产物,产量达克量级,产物由均匀的纳米棒组成,直径约100nm,长达几微米,具有立方β-SiC晶体结构.基于Fe-C-Si三元合金相变原理及传统的VLS机制,首次提出一种周期性的气-液-固(Periodic-VLS)生长模型对SiC纳米棒的形成过程进行了详细讨论.

关键词: SiC纳米棒 , 宏观产量 , 合金相变 , VLS

SiC一维、准一维纳米材料的制备工艺研究

李镇江 , 范炳玉 , 孟阿兰 , 张猛

功能材料

综述了近年来SiC一维、准一维纳米材料制备工艺的最新研究进展,重点介绍了模板生长法、化学气相沉积法、熔体生长法、碳热还原法和溶胶-凝胶法的工艺特点,并对不同工艺方法制备的SiC一维、准一维纳米材料的微观形貌、优异性能进行了简要概述,总结了现阶段SiC一维、准一维纳米材料制备工艺研究所面临的问题及发展前景.

关键词: SiC , 一维、准一维纳米材料 , 制备工艺

工艺参数对合成ZnO/Ag纳米复合抗菌剂产率的影响

李镇江 , 郭锋 , 孟阿兰 , 李荣先 , 梁开明

稀有金属材料与工程

通过正交实验,研究了反应温度、反应时间、反应物配比对ZnO/Ag纳米复合抗菌剂合成产率的影响规律.获得了高产率合成ZnO/Ag纳米复合抗菌剂的优选工艺条件:反应温度为10~25 ℃,ZnSO4与NH4HCO3的摩尔比为1:2~2.5,ZnSO4与NH4HCO3的反应时间为2.5~3 h,AgNO3与NH4HCO3的摩尔比为1:1.5~2,反应时间为0.5 h,ZnO/Ag的产率超过98%.XRD、TEM和SAED结果表明:ZnO/Ag纳米复合抗菌剂为具有纤锌矿结构的ZnO和立方结构的Ag组成.粒径为15~25 nm,分散性较好.

关键词: ZnO/Ag , 产率 , 合成 , 纳米复合抗菌剂

ZnO/Ag纳米复合材料光催化性能研究

孟阿兰 , 岑伟 , 李镇江 , 李荣先

稀有金属材料与工程

通过XRD、TEM测试研究了自制ZnO/Ag纳米复合材料的结构和形貌,通过UV检测确定了以该纳米复合材料为光催化剂,在不同条件下对甲基橙的光催化降解率.结果表明:与空气煅烧相比,真空煅烧所得纳米复合材料的光催化降解效果更好,且光催化降解率随纳米复合材料用量增加而增大;甲基橙溶液的pH在5左右时,光催化降解率最高;H2O2浓度为0.9 g/L时,光催化降解率可达100%.

关键词: ZnO/Ag , 纳米复合材料 , 光催化降解 , 甲基橙

合成一维β-SiC纳米材料原料粉体的球磨工艺研究

李镇江 , 万里冰 , 孟阿兰 , 高卫东

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2008.06.013

采用高能球磨对合成一维β-Sic纳米材料的原料-Si粉和SiO2粉分别进行处理.通过正交试验研究球磨转速、时间、球料比、级配比等因素对球磨后粉体粒径的影响规律,结果表明,Si粉的球磨优化工艺为转速300r/min、球磨时间4h、球料比5:1,级配比Φ20mm:Φ10 mm:Φ6mm:Φ2mm=1:50:180:400;SiO2粉的球磨优化工艺为转速350 r/min、球磨时间4.4 h、球料比15:1,级配比Φ20mm:Φ10mm:Φ6mm:Φ2mm=1:50:180:400.借助粒度分析仪及透射电子显微镜(TEM)对产物进行表征,发现经过球磨处理后的粉体粒度分布均匀.比表面积提高,可用以合成高质量的一维β-SiC纳米材料.

关键词: 高能球磨 , 正交试验 , 粒度 , 影响规律

纵向多孔及实心ZnO微纳米棒的制备、表征及其光催化性能研究?

李镇江 , 张运搏 , 孟阿兰 , 邢静 , 胡居秀

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.22.004

以硝酸锌和六次甲基四胺为原料,水为溶剂,采用低温水热法制备出具有优异光催化性能的六方纤锌矿结构ZnO微纳米棒,并研究了合成过程中磁力搅拌及原料溶液浓度对制备产物形貌及光催化性能的影响,建立了其光催化降解甲基橙的动力学方程。结果表明,搅拌条件下制备的产物为纵向多孔的棒状 ZnO,无搅拌条件下制备的产物为实心ZnO纳米棒.优选出的硝酸锌和六次甲基四胺浓度均为0.025 mol/L。相比于实心 ZnO 纳米棒,纵向多孔的棒状ZnO具有更优异的光催化性能,在紫外光照射20 min后,对甲基橙的降解率达到100%。通过动力学模型拟合发现,纵向多孔的棒状 ZnO 具有更大的催化速率常数(0.2942 min-1),是实心 ZnO 纳米棒催化速率常数(0.1306 min-1)的2.25倍。

关键词: ZnO微纳米棒 , 纵向多孔 , 低温水热法 , 光催化性能

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