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用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性区

季国坤 , 刘年庆 , 王淑英 , 姜健 , 熊良钺 , 龙期威

金属学报

<正> 正电子湮灭技术对材料的空位、位错等缺陷均十分灵敏,已广泛用于研究点阵缺陷及有关问题。由于塑性区内部塑性变形不均匀,故其内部缺陷密度分布亦是不均匀的,可能导致不均匀的正电子湮灭效应。本文尝试用正电子湮灭技术研究裂纹顶端塑性

关键词:

用正电子湮没技术研究裂纹顶端塑性区内的缺陷分布

薛嘉渔 , 季国坤 , 田中卓 , 常香荣 , 吕荣邦 , 肖纪美

金属学报

用楔形加载试样测定了裂纹顶端区正电子湮没多普勒加宽谱的S参数,并确定了试样充氢以后S参数的变化。经过标定,定出塑性区内的等应变曲线。充氢以后,使塑性内的等应变曲线向外扩展,在最大切应力方向发展最快。作者认为氢使塑性区内的位错增殖或可动位错滑移,同时产生空位。

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