吴雪梅
,
董业民
,
诸葛兰剑
,
叶春暖
,
汤乃云
,
俞跃辉
,
宁兆元
,
姚伟国
功能材料
采用射频磁控共溅射方法制备了纳米Ge颗粒尺寸的Ge-SiO2薄膜、非晶Si-SiO2薄膜和非晶AlSiO复合薄膜,分析了样品的结构,研究发现3类样品均存在较强的光吸收,对于Ge-SiO2薄膜观察到光吸收边随Ge颗粒尺寸变小而蓝移的现象,这主要是由于Ge颗粒的量子限域效应所引起的.而对于非晶样品也出现了光吸收边蓝移和能隙展宽的现象,这可能是由于样品中的杂质或缺陷等受到限域作用的结果.
关键词:
薄膜
,
结构
,
光吸收
叶超
,
康健
,
宁兆元
,
程珊华
,
辛煜
,
方亮
,
陆新华
,
项苏留
功能材料
利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积技术,通过改变微波输入功率的方法,沉积了具有不同结构特征的氟化非晶碳(α-C:F)薄膜.随着微波功率从M0w升高到560w,薄膜的光频介电常数从2.26降至1.68,红外光谱(FTIR)分析表明薄膜的键结构由以CF基团为主变化到CF与cF2基团共存.由于CF2基团的极化比CF基团弱,薄膜中CF2基团的增加可能是导致光频介电常数减小的因素.
关键词:
α-c:F薄膜
,
键结构
,
电子极化
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
,
甘肇强
,
周咏东
,
褚君浩
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.01.010
用脉冲激光法制备了ZnO:Al透明导电膜.通过对膜的霍尔系数测量及SEM、XRD分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透光率和电阻率的影响.结果表明:掺杂比影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.掺杂比从0.75%增至1.5%,膜的载流子浓度、透光率( 波长大于500nm)和光隙能相应增大.在掺杂比为1.5%左右时沉积的膜的电阻率达到最小,其值为7.1×10-4Ωcm,且在可见光区其透光率超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
王晓霞
,
李红霞
,
张怀金
,
王继扬
,
沈明荣
,
方亮
,
宁兆元
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.02.006
采用脉冲激光沉积技术在不同温度和氧分压下,在(100)Si片和抛光石英片上生长了一系列(200)面择优取向的Nd:LuVO4薄膜.利用X射线衍射分析了所制备薄膜的成膜情况,认为成膜较为适宜的温度为700℃,氧分压为10Pa.用棱镜耦合法测得了该薄膜的有效折射率为2.0452.利用扫描电镜(SEM)观察了Nd:LuVO4薄膜的表面形貌.
关键词:
脉冲激光沉积
,
Nd:LuVO4
,
薄膜
黄峰
,
康健
,
杨慎东
,
叶超
,
程珊华
,
宁兆元
,
甘肇强
功能材料
用苯(C6H6)和三氟甲烷(CHF3)混合气体作源气体,采用永磁微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(MWECRCVD)技术,制备了氟化非晶碳膜(a-C:F).光学带隙的结果表明它与膜中的C、F元素含量和键结构都有关系;伏安特性的测量表明a-C:F薄膜的电导在低电场下呈欧姆特性,高电场下则是肖特基发射机制.
关键词:
a-C:F薄膜
,
MWECR-CVD
,
光学带隙
,
J-V特性
程珊华
,
宁兆元
,
李戈扬
,
叶超
,
杜伟
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.03.002
在一个微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积系统中,测量了 CHF3、 C6H6及其混合气体放电的质谱和发射光谱图,分析了等离子体中主要基团的分布及其产生的途径,研究了放电功率和流量对主要基团密度的影响,以及它们与氟化非晶碳薄膜沉积速率和键结构之间的关联.结果表明,提高微波功率会增加 CHx、 CFx等成膜基团的密度,有利于加大沉积速率;而增加 CHF3的进气量则会加大 F原子基团的密度,这是由于它控制了薄膜的氟化程度.
关键词:
电子回旋共振等离子体
,
氟化非晶碳薄膜
,
四极质谱
,
发射光谱
贺洁
,
辛煜
,
叶超
,
宁兆元
,
孙钢
功能材料
非晶碳化硅薄膜的结构可调制性及化学稳定性使它可用作超低k多孔介电薄膜的扩散阻挡层.主要改变了SiH4(80%Ar稀释)和CH4气体流量比R{R=[CH4]/([CH4]+[SiH4])},使用微波电子回旋共振化学气相沉积法制备了非化学计量比的非晶碳化硅薄膜(a-Si1-xCx∶H).薄膜沉积过程中放电等离子体的各基团行为由等离子体的发射光谱监测,而薄膜的结构与性能则由傅立叶变换红外光谱、紫外可见光谱等来表征.结果表明,在等离子体发射光谱中H、CH谱线强度随CH4流量的增加而增强,而SiH谱线强度则呈现相反的变化趋势.红外结构表明随着气体流量比R的增加,薄膜由富硅态向富碳态转变,薄膜结构的转变是薄膜光学带隙及其介电常数变化的根本原因.
关键词:
微波电子回旋共振等离子体
,
非晶碳化硅红外光谱
,
介电常数
陈玲玲
,
程珊华
,
宁兆元
,
辛煜
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.007
在不同的沉积温度下,利用CHF3和C2H2为气体源,在微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)系统中制备了氟化非晶碳(a-C:F)薄膜,为了研究其热稳定性,薄膜在500℃的真空中作了退火处理.测量了退火前后其电学、光学性质的变化,使用FTIR、Raman、XPS方法考察了其结构随沉积温度的变化,分析了性质同结构之间的关联.结果表明,在高的沉积温度下制备的薄膜中的F/C比较低,CF2和CF3键成分较少而以CF键成分为主,其交联程度高,因而具有较好的热稳定性.
关键词:
a-C:F
,
沉积温度
,
红外吸收谱
,
热稳定性
葛水兵
,
程珊华
,
宁兆元
,
沈明荣
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2000.02.022
利用脉冲激光法制备了ZnO:Al 透明导电膜.通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析,详细研究了靶材中的化学配比(掺杂比)对膜的透射比和电阻率的影响.结果表明:掺杂比、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况.从电学分析看出:掺杂比从0. 75%增至1.5%过程中,膜的载流子浓度、透射比(在波长大于500 nm的范围)和光隙能相应增大.在氧分压强为0 Pa、掺杂比为1.5%左右时沉积的膜,其电阻率达到最小,其值为7.1 ×10-4Ω·cm,且在可见光区其透射比超过了90%.
关键词:
脉冲激光沉积
,
ZnO膜
,
掺杂比
,
氧分压
陈军
,
辛煜
,
许圣华
,
宁兆元
,
陆新华
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.004
使用80%Ar稀释的SiH4,O2,CHF3和CH4作为前驱气体,利用微波电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR-CVD)方法制备了SiOx/a-C:F/SiOx多层膜.傅里叶变换红外测试结果表明了多层膜中存在大量的C-F,C=C,Si-O键,同时由于器壁的吸附效应,膜中还存在少量的Si-C和Si-F键,这些键的存在从x射线光电子能谱的深层剖析结果得到了证实.热退火的结果表明了薄膜的红外结构没有发生太大的变化,薄膜的介电常数经过400℃的退火后仅上升了8%.实验结果表明了ECR-CVD制备的SiOx/a-C:F/SiOx多层膜可以成为超大规模集成电路中层间绝缘层的候选材料.
关键词:
多层膜
,
氟化非晶碳膜
,
介电常数
,
ECR-CVD
