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B/N/Si掺杂的(9,0)型碳纳米管电子结构第一性原理研究

安博 , 王六定 , 陈国栋 , 曹得财 , 丁富才 , 梁锦奎

功能材料

基于密度泛函理论(DFT)的DMol3软件包,研究了(9,0)型碳纳米管(CNT)顶端掺杂B/N/Si等元素对其几何结构及电子结构的影响.结果表明,掺杂原子对非掺杂区几何结构影响微弱;加电场后,各种掺杂CNT顶端局域态密度(LDOS)峰位向价带移动;B/N/Si掺杂不仅引起CNT费米能级(Ef)处LDOS增大,而且最低空轨道与最高占有轨道的差值(LUMO-HOMO)降低.由此可预期CNT顶端掺B/N/Si均有利于场致电子发射,且改善幅度依次增强.

关键词: 碳纳米管 , 掺杂 , 第一性原理 , 电子场发射

双掺杂碳纳米管电子场发射性能的密度泛函研究

曹得财 , 王六定 , 陈国栋 , 安博 , 梁锦奎 , 丁富才

功能材料

采用第一性原理的密度泛函理论(DFT)研究了(5,5)碳纳米管(CNT)顶端硼(B)、氮(N)、硅(Si)等元素双掺杂体系的电子场发射性能.结果表明,在外电场下,各种双掺杂CNT帽端态密度(DOS)向价带移动.电子轨道分布变化显著,电荷分布明显局城化.根据电子态密度、差分电荷密度、最高分子占据轨道(HOMO)/最低分子非占据轨道(LUMO)分布等计算结果可预期Si双掺杂后更有利于场致电子发射.

关键词: 碳纳米管 , 双掺杂 , 场发射

夹心双核茂合物Cp2TM2(TM=Zn/Cu/Ni)电子结构和储氢性能的第一性原理研究

安博

人工晶体学报

使用基于密度泛函理论(DFT)的DMOL3程序包,研究了双金属茂合物Cp2TM2 (TM=Zn/Cu/Ni)的几何结构、电子结构和储氢性能.结果表明:不同夹心原子对体系几何结构的影响微弱;Zn/Cu/Ni茂合物的电子局域态密度(LDOS)在费米能级(EF)处起主要作用的是d轨道电子;随夹心原子Zn/Cu/Ni原子序数的降低,其茂合物最低非占据轨道和最高占据轨道的差值(LUMO-HOMO)逐渐降低.Zn/Cu/Ni茂合物均可吸附8个H2分子,其平均吸附能分别为0.802 eV/H2(Cp2Zn2)、0.422 eV/H2(Cp2Cu2)和0.182 eV/H2(Cp2Ni2),储氢容量分别达到6.2wt%(Cp2Zn2)、6.3wt% (Cp2Cu2)和6.5wt% (Cp2Ni2).

关键词: 双金属茂合物 , 电子结构 , 储氢 , 第一性原理

Ca修饰石墨烯储氢性能的第一性原理研究

安博

人工晶体学报

使用基于密度泛函理论的DMol3程序包,研究了纯石墨烯和5种不同结构Ca修饰石墨烯的几何结构、电子结构和储氢性能.结果表明:Ca原子不同位置吸附对石墨烯结构影响微弱;随Ca原子周围氢分子吸附数目增加,费米能级处电子态密度值增大,氢分子平均吸附能减小;单Ca修饰石墨烯能稳定吸附6个氢分子,吸附能为0.635eV,储氢密度为2.77wt%;双Ca修饰石墨烯结构Ⅲ和Ⅳ的氢平均吸附能最高,分别达到0.789 eV和0.733 eV,其储氢密度为4.95wt%.

关键词: Ca修饰石墨烯 , 电子结构 , 储氢 , 第一性原理

夹心多核茂合物Cp2Mgn结构和储氢性能的第一性原理研究

安博

人工晶体学报

使用基于密度泛函理论(DFT)的DMol3程序包,研究了夹心多核茂合物Cp2Mgn的几何结构、电子结构和储氢性能.研究表明:夹心原子对体系结构影响微弱;Mg-Mg间形成共价σ单键,Mg-Cp间形成离域π共价键;Cp2Mg2和Cp2Mg3最多可分别吸附氢分子4个和10个,吸附能分别为0.252 eV/H2和0.291 eV/H2,储氢量分别为4.32wt%和9.03wt%.

关键词: 夹心多核茂合物 , 电子结构 , 储氢 , 第一性原理

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