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影响多孔硅孔隙率的因素

研究了在制备多孔硅过程中影响其孔隙率的各种因素,给出了氢氟酸浓度、腐蚀时间、阳极腐蚀电流、温度及光照度与多孔硅孔隙率的关系,同时研究了多孔硅的晶格常数随其孔隙率变化的规律,并对以上各项结果作出了初步解释.

CoMnCuO系NTC热敏电阻的复阻抗分析

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.03.020

本文研究了化学共沉淀工艺制备的CoMnCuo系NTC热敏电阻元件在不同温度下的复阻抗谱,并建立了相应的模拟等效电路.根据Cole-Cole图,我们获得了材料的晶粒、晶界电阻随温度的变化关系.结果表明:晶粒、晶界电阻与温度均呈E指数关系,但晶界电阻远大于晶粒电阻.为此,我们与以往NTC热敏电阻的导电机制进行了比较,认为晶界电阻起主要作用.

关键词: NTC热敏电阻 , 复阻抗 , Cole-Cole图

Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜

侯识华 , 宋世庚 , 郑应智 , 马远新 , 郑毓峰

材料科学与工艺 doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2002.01.027

介绍了Sol-Gel法,并对近年来Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的有关研究进行了分析和总结,详细介绍了Sol-Gel法制备PLZT系铁电薄膜材料的各种原料及工艺流程.

关键词: Sol-Gel法 , PLZT , 铁电薄膜

ZnO纳米粉对压敏陶瓷材料显微结构和电学特性的影响

康雪雅 , 宋世庚 , 韩英 , 涂铭旌 , 陶明德

材料研究学报

用sol-gel方法制备掺杂的ZnO纳米粉体分析讨论了这种粉体对材料显微结构,材料电学特性如非线性系数,压敏电压和介电特性的影响。与传统方法制成的粉体相比,sol-gel方法制成的纳米粉体具有掺杂均匀,晶粒尺寸分布均匀,其电学特性得到较大提高。

关键词: ZnO纳米粉 , null , null , null

铅过量PLZT铁电薄膜的制备及其电学性质研究

侯识华 , 宋世庚 , 马远新 , 郑毓峰

材料科学与工程学报 doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.03.008

采用Sol-Gel法,在Pt/TiO2/Si基片上制备了具有不同铅过量(0-20mol%)的PLZT铁电薄膜.分析了薄膜的晶相结构,研究了铅过量对PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能的影响. 结果表明,各薄膜均具有钙钛矿型结构,且各薄膜均呈(110)择优取向.PLZT铁电薄膜的介电性能和铁电性能随铅过量的变化而改变.铅过量为10mol%的薄膜具有最佳的的介电性能和铁电性能.

关键词: Sol-Gel法 , PLZT , 铁电薄膜 , 铅过量 , 电学性质