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Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结温度的影响

张红霞 , 丁士华 , 陈涛 , 宋天秀 , 李在映 , 刘勇

硅酸盐通报

研究了Er3+替代Bi3+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料结构和性能的影响,并借助X射线、扫描电镜、Agilent4284测试仪对其相结构和介电性能进行分析.研究结果表明:经Er3+替代的BZN陶瓷样品烧结温度升高(从960℃升高到1000℃);随着Er3+替代量的增加,Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系介质材料的晶粒尺寸、介电常数、介电损耗都有所变化;当替代量x=0.1时,介电性能最佳,介电常数为78.7165,介电损耗为0.00134.

关键词: Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7系陶瓷 , 单斜相焦绿石 , 替代 , 烧结温度

Na-Sn掺杂Bi2O3-ZnO-Nb2O5陶瓷的性能

李在映 , 丁士华 , 宋天秀 , 郭丽华

材料导报

研究了Na+替代Bi3+、Sn4+替代Nb5+对Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7陶瓷烧结特性、显微结构和介电性能的影响.结果表明,替代后样品的烧结温度从1000℃降低到860℃;在-30~130℃样品出现明显的介电弛豫现象;弛豫激活能在0.3eV左右.用缺陷偶极子和晶格畸变对Na-Sn掺杂Bi2(Zn1/3Nb2/3)2O7的介电弛豫现象进行了解释.

关键词: 锌铌酸铋基陶瓷 , 介电弛豫 , 离子替代 , 晶格畸变 , 缺陷偶极子

锂、钒掺杂对Bi_2(Zn_(1/3) Nb_(2/3))_2O_7陶瓷烧结温度和介电性能的影响

张东 , 丁士华 , 宋天秀 , 杨秀玲

机械工程材料

采用固相反应法制备出了(Bi_(1.975) Li_(0.025))(Zn_(2/3) Nb_(4/3-x) V_x)O_7陶瓷,研究了锂、钒掺杂对于Bi_2(Zn_(1/2) Mb_(2/3))_2 O_7(BZN)陶瓷烧结温度、相结构和介电性能的影响.结果表明:锂、钒掺杂能显著降低BZN陶瓷的烧结温度,可由1 000℃降至860℃;当掺杂量x≤0.05时,陶瓷相结构保持单一的单斜焦绿石相,介电损耗出现明显的弛豫现象;当x为0.005,0.01,0.02和0.05时,陶瓷的介电弛豫峰值温度分别为125,120,112,100℃,介电弛豫激活能的减小使弛豫温区向低温方向移动.

关键词: Bi_2 , (Zn_(1/3) , Nb_(2/3))_2 , O_7陶瓷 , 掺杂 , 介电弛豫 , 介电性能

(Ba1-xCax)(Ti0.82Zr0.18)O3陶瓷结构与介电性能研究

那文菊 , 丁士华 , 宋天秀 , 王久石 , 王岩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00655

采用固相反应法制备了(Ba1-xCax)(Ti0.82Zr0.18)O3(BCZT, 0≤x≤0.26)陶瓷, 研究了Ca2+掺杂对BCZT陶瓷微观结构和介电性能的影响. 结果表明: 当Ca2+掺杂量为0.16时, BCZT陶瓷出现第二相CaTiO3, 其四方率c/a随Ca2+掺杂量的增加先减小再增大, 当Ca2+掺杂量为0.06时达到最小值1.00276. 通过容差因子和晶格参数的计算确认了Ca2+已进入到A位; 随Ca2+掺杂量的增加, 晶粒得到细化, 居里温度向低温方向移动, 介电峰被压低并展宽, 且逐渐呈现铁电弥散性.

关键词: BCZT陶瓷 , solid solubility , tetragonality of c/a , dielectric properties

Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7陶瓷结构、介电性能与结晶化学特性

王红妮 , 丁士华 , 宋天秀 , 涂伟 , 张静

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12033

采用固相反应法制备Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7 (0≤x≤0.50, BCZN)陶瓷, 研究Ca2+替代Bi3+对Bi1.5ZnNb1.5O7陶瓷烧结特性、显微结构、介电性能和结晶化学特性的影响. 结果表明: 替代量x≤0.25 mol时, 样品为单一的α-BZN相. 随着Ca2+替代量增加, 样品最佳烧结温度从1000℃升高到1020℃; 致密度从7.011 g/cm3减小到6.353 g/cm3; 样品晶粒尺寸、晶格常数、电阻率均减小; 结晶化学参数键价和, AV(O')[Bi4]、AV(O')[Bi3Zn]、AV(O')[Bi2Zn2]和AV(O')[Ca3Zn]均增大, 且该行为与其晶格常数、介电性能变化相吻合.

关键词: Bi1.5-xCaxZnNb1.5O7陶瓷; 晶格常数; 介电性能; 键价理论

锂掺杂氧化镍光催化剂的制备与性能研究

郭丽华 , 丁士华 , 杨晓静 , 宋天秀 , 李在映 , 刘建林

材料导报

采用溶胶-凝胶法制备了未掺锂和掺锂的氧化镍粉体,通过X射线衍射、扫描电镜对其进行了表征,以8W紫外灯为光源,研究了甲基橙在目标催化剂水悬浮液中的光催化降解性能,结果表明,全部粉体均为立方晶型,当锂掺杂量为2.5%、催化剂添加量为0.4g/L时纳米粉体光催化性能达到93%.

关键词: 氧化镍 , 溶胶-凝胶法 , 光催化 , 锂掺杂

Zn-Al共掺对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3介电性能的影响

杨秀玲 , 丁士华 , 宋天秀 , 张东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00371

采用固相反应法制备了 (Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当 Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时, 在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr =20.35, tgδ=2.0×106, αc=1.78×106.

关键词: 0.95MgTiO3-0.05CaTiO3介质陶瓷 , Zn-Al codoped , dielectric properties

B位替代对Bi2(Zn1/3 Nb2/3)O7陶瓷介电性能的影响

张红霞 , 丁士华 , 陈涛 , 宋天秀 , 张东 , 杨秀玲

机械工程材料

采用传统的二次球磨固相反应法制备了Bi2(Zn1/3 Nb2/3-x)O7(M为Sn,Zr,Ti)陶瓷,并使用X射线衍射仪、扫描电镜、介电性能测试仪等研究了Sn4+,Zr4+,Ti4+的B位替代对陶瓷烧结温度、物相、显微形貌以及介电性能的影响.结果表明:当替代量x≤0.25时,所得陶瓷均保持单一的单斜焦绿石相结构;Zr4+,Ti4+什替代的陶瓷达到最致密的烧结温度与未经替代的一致,而Sn4+替代的陶瓷在1 020℃烧结才可以达到最致密;用Ti4+,Zr4+替代的陶瓷晶粒尺寸与基体的相当,而Sn4+替代的陶瓷晶粒尺寸大小不一;Sn4+,Zr4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加逐渐减小,Sn4+替代的陶瓷在x=0.25时为负值,Ti4+替代的陶瓷介电常数温度系数随着替代量的增加先增大后减小,但始终为正值.

关键词: Bi2O3-ZnO-Nb2O5基陶瓷 , 烧结温度 , 介电性能

Zn-Al共掺对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3介电性能的影响

杨秀玲 , 丁士华 , 宋天秀 , 张东

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2009.00371

采用固相反应法制备了(Mg0.93Ca0.05Zn0.02)(Ti1-xAlx)O3介质陶瓷.研究了Zn-Al共掺杂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)陶瓷介电性能的影响.结果表明:Zn-Al共掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,Zn-Al共掺杂可以抑制中间相MgTi2O5的产生,同时,有第二相CaAl2O4出现;Zn-Al共掺杂能有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度至1300℃,改善介电性能,并对介电常数温度系数具有调节作用.当 Zn2+掺杂量为0.02mol、Al3+掺杂量为0.02mol时, 在1300℃烧结2.5h获得最佳性能:εr =20.35, tgδ=2.0×10-6, αc=-1.78×10-6.

关键词: 0.95MgTiO3-0.05CaTiO3介质陶瓷 , Zn-Al共掺杂 , 介电性能

(Ba1-xCax)(Ti0.82Zr0.18)O3陶瓷结构与介电性能研究

那文菊 , 丁士华 , 宋天秀 , 王久石 , 王岩

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00655

采用固相反应法制备了(Ba1.xCax)(Ti0.82Zr0.18)O3(BCZT,0≤x≤0.26)陶瓷,研究了Ca2+掺杂对BCZT陶瓷微观结构和介电性能的影响.结果表明:当Ca2+掺杂量为0.16时,BCZT陶瓷出现第二相CaTiO3,其四方率c/a随Ca2+掺杂量的增加先减小再增大,当Ca2+掺杂量为0.06时达到最小值1.00276.通过容差因子和晶格参数的计算确认了Ca2+已进入到A位;随Ca2+掺杂量的增加,晶粒得到细化,居里温度向低温方向移动,介电峰被压低并展宽,且逐渐呈现铁电弥散性.

关键词: BCZT陶瓷 , 固溶度 , 四方率c/a , 介电性能

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