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张宇 , 左长明 , 王小平 , 宋晓科 , 姬洪
材料导报
铁电薄膜的性能与薄膜的择优取向和应力有密切的联系.采用X射线衍射( XRD)对3片不同自缓冲层条件下的Bi4Ti3O12(B1T)铁电薄膜进行了择优取向和应力分析,研究了自缓冲层影响择优取向和应力的机理.3片BIT薄膜的内应力均为张应力,并随着(200)峰与(117)峰相对强度的增强而变小,结果表明:a轴择优的BIT薄膜性能最好.
关键词: BIT , 自缓冲层 , 择优取向 , 应力 , 摇摆曲线
