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硅薄膜的恒电位诱导组装法制备及光学性能

董征 , 刘青 , 苏革 , 柳伟 , 曹立新 , 王景 , 贾波 , 赵莉丽 , 宋美芹 , 刘晓云

功能材料

采用恒电位诱导组装法,在40℃、2.5V恒电位条件下,在FTO导电玻璃上制备硅薄膜,并分别通过循环伏安曲线(CV)、红外光谱仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见分光光度计和荧光光谱仪对硅薄膜的生长条件、结构、形貌和光学性能进行了系统研究.结果表明,只有当溶液中用于模板剂的十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的浓度高于其临界胶束浓度并且在一定的正硅酸四乙酯(TEOS)浓度时,才可以得到岛粒状的硅薄膜.由荧光光谱可知,组装成的硅薄膜经过焙烧,可生成氧缺位的SiO2薄膜,其中x≤2.由于氧缺位,在3.8eV光的激发下有2.5eV的光致发光.

关键词: 恒电位诱导组装法 , 硅薄膜 , 光学性能 , SiOx

钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响

王景 , 苏革 , 曹立新 , 柳伟 , 董征 , 赵莉丽 , 宋美芹

材料研究学报

采用恒电位法在FTO玻璃上沉积Co与Ni摩尔比为O.16∶1的薄膜,用X射线衍射仪,扫描电镜和能谱仪分析了膜的成分、结构和形貌,用紫外-可见分光光度计表征了膜的透光性能,用循环伏安法表征了膜的电化学稳定性和可逆性,用双电位阶跃法表征了膜的开关响应时间,研究了钴掺杂对氧化镍薄膜电致变色性能的影响.结果表明,钴掺杂使NiO薄膜颗粒更加细小和均匀,提高了薄膜在可见光波段着色态与消色态之间的透光率差值,降低了电致变色反应的工作电压,有利于薄膜在电致变色过程的可逆性,缩短了着色响应时问.

关键词: 无机非金属材料 , 电致变色 , 钴掺杂氧化镍薄膜 , 可逆性

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