严辉
,
谭利文
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
姚振宇
,
刘立明
,
程业浩
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2000.z2.019
采用分步偏压射频溅射法,通过调整衬底负偏压,在不加热的条件下成功的制备出具有一定结晶取向的sic薄膜,傅立叶红外谱的分析表明,随着衬底偏压的增大,吸收峰位于800cm-1附近Si-C键的数量增大.表明高能氩离子的轰击有利于立方相SiC(β-SiC)的形成.从傅立叶红外光谱SiC特征吸收峰的FWHM表明,采用分步偏压法制备的SiC薄膜,比采用一步偏压法制备的薄膜的质量好.从SEM测试结果表明,SiC薄膜均匀致密,表面比较光滑.同时,在不锈钢衬底上沉积了SiC薄膜,对其防氚性能的测试结果表明氚的渗透率显著下降.
关键词:
分步偏压
,
SiC
,
溅射氚渗透率
李瀛
,
刘毅
,
阴生毅
,
胡跃辉
,
宋雪梅
,
邓金祥
,
朱秀红
,
陈光华
功能材料
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速率下沉积了a-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究a-Si:H薄膜的结构特性与衬底温度、氢稀释比、光学带隙的对应关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量a-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
氢化非晶硅
,
MWECR
,
CVD
,
氢含量
邓金祥
,
陈浩
,
陈光华
,
刘钧锴
,
宋雪梅
,
朱秀红
,
王波
,
严辉
功能材料
研究立方氮化硼薄膜表面的性质对于研究立方氮化硼薄膜的成核机理和应用,具有重要的价值.本文用XPS对立方氮化硼薄膜表面进行研究,并对有关问题进行了讨论.XPS分析表明,立方氮化硼薄膜表面除了B、N外,还含有C和O.从XPS谱图计算得到含有立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.90,较接近于氮化硼的理想化学配比1:1;不含立方相的氮化硼薄膜的N/B为0.86,离氮化硼的理想化学配比1:1较远.计算表明立方氮化硼薄膜的顶层六角相的厚度约为0.8nm.
关键词:
立方氮化硼薄膜
,
表面
,
X射线光电子能谱
宋雪梅
,
宋道颖
,
陈蔚忠
,
芦奇力
,
冯贞健
,
鲍旭红
,
邓金祥
,
陈光华
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.03.022
应用微波电子回旋共振化学气相沉积(MWECR CVD)方法,在较高速度下沉积了α-Si:H薄膜,用FTIR红外谱仪研究了α-Si:H薄膜的结构特性随H2/SiH4、沉积温度和沉积速率变化关系,并对2000cm-1附近的特征吸收峰用高斯函数进行了拟合分析,获得了沉积高质量α-Si:H薄膜的最佳工艺条件.
关键词:
MWECR CVD
,
α-Si:H薄膜
,
IR分析
,
高斯函数拟合
吴越颖
,
胡跃辉
,
阴生毅
,
荣延栋
,
王青
,
高卓
,
李瀛
,
宋雪梅
,
陈光华
功能材料
我们用热丝辅助MW ECRCVD系统,在热丝温度分别为0、1350、1400、1450、1500、1600和1700℃时制备出a-Si:H薄膜.通过膜厚测定,红外光谱分析光、暗电导测量等手段,分析了其沉积速率、光敏性及光学带隙的变化规律.结果表明沉积速率和薄膜质量均得到明显的提高,沉积速率超过3nm/s,光暗电导之比提高到6×105.找到最佳辅助热丝温度为1450℃.通过对带隙值的分析,发现当带隙值在1.6～1.7范围内时,薄膜几乎都具有105以上的光暗电导之比.
关键词:
a-Si:H薄膜
,
热丝
,
光敏性
,
沉积速率
王波
,
王玫
,
张德学
,
黄安平
,
宋雪梅
,
邹云娟
,
严辉
功能材料
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中c-BN相含量的减小.
关键词:
立方氮化硼
,
薄膜
,
红外光谱
李彤
,
李驰平
,
王波
,
宋雪梅
,
张铭
,
严辉
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.011
对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较.对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因.卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散.电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱.
关键词:
p-n结
,
阻挡层
,
择优取向
,
整流特性
李驰平
,
张铭
,
宋雪梅
,
王波
,
李彤
,
严辉
材料导报
ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.
关键词:
ZnO薄膜
,
p型掺杂
,
共掺杂方法
李驰平
,
王波
,
宋雪梅
,
严辉
材料导报
介绍了微电子工业的发展趋势和SiO2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势.
关键词:
高K材料
,
SiO2栅介质减薄
,
等效SiO2厚度
王静静
,
廖波
,
刘维
,
王波
,
宋雪梅
,
严辉
功能材料
在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数--等离子体成分及离子能量来起作用的.在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜微结构从非晶转化为纳米晶过程中的作用,发现可以通过控制等离子体成分及离子能量来得到可用于场发射阴极的纳米晶SiC薄膜.
关键词:
工作气压
,
氢稀释度
,
β-SiC
,
PECVD
