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4H-SiC的强氧化液化学机械抛光

梁庆瑞 , 胡小波 , 陈秀芳 , 徐现刚 , 宗艳民 , 王希杰

人工晶体学报

研究了一种新型的化学机械抛光方法,使用以KMnO4作为氧化剂的强氧化性化学机械抛光液(SOAS)进行化学机械抛光.研究了在4H-SiC硅面和碳面的化学机械抛光过程中,SOAS溶液中KMnO4的浓度对抛光质量的影响.使用原子力显微镜(AFM)和精密电子天平,分别测试了表面粗糙度和去除率.结果表明,适量的KMnO4可以大幅度提高4H-SiC的化学机械抛光去除率,同时可提高4H-SiC衬底的表面抛光质量.

关键词: 碳化硅 , 化学机械抛光 , 高锰酸钾 , 粗糙度 , 去除率

泡生法生长蓝宝石晶体中的气泡分布

于国建 , 宗艳民 , 张志海 , 高玉强 , 胡小波 , 徐现刚

人工晶体学报

气泡是蓝宝石晶体中的主要缺陷之一.本文中研究了采用泡生法生长蓝宝石晶体中气泡的俘获机理以及在晶体中的分布情况.研究结果表明气泡的分布与温场的结构相关,气泡产生的直接原因是结晶前沿较快的晶体生长速度.晶体中的气泡可以通过对生长速率的适当调整予以消除.

关键词: 气泡 , 蓝宝石 , 泡生法

金刚石微粉对SiC机械抛光的影响研究

梁庆瑞 , 宗艳民 , 王希杰 , 陈秀芳 , 徐现刚 , 胡小波

人工晶体学报

研究了金刚石微粉对碳化硅晶片表面机械抛光质量及去除率的影响.选取粒径均为W0.5~1μm、粒径分布和形貌不同的3种金刚石微粉,配置3种SiC单晶片机械抛光液.通过纳米粒度仪和扫描电镜分别测试了金刚石微粉的粒度分布和微观形貌.使用原子力显微镜测试了SiC晶片机械抛光后表面粗糙度.金刚石微粉的微观形貌越圆滑,粒径分布越集中,抛光后晶片的表面质量越好.金刚石微粉中单个颗粒的表面棱角有利于提高材料去除率.

关键词: 碳化硅 , 金刚石微粉 , 机械抛光 , 表面粗糙度

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