周海龙
,
黄柏标
,
潘教青
,
于永芹
,
尉吉勇
,
陈文澜
,
齐云
,
张晓阳
,
秦晓燕
,
任忠祥
,
李树强
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.01.025
在n+-GaAs(n=1×1018cm-3)衬底上,用MOCVD方法制备了610 nm的AlGaInP发光二极管的外延片,用X射线双晶衍射和PL谱表征了ALGaInP外延片样品的性质,通过对减薄到不同厚度的LED外延片的管芯在相同条件下的退化实验,发现了亮度的退化随厚度的减小而减小的结果.由理论计算结果可以得到,衬底厚度的降低对于LED样品稳定性产生作用的主要因素是由于产生的耗散热的减小而使缺陷增殖速度减小和非辐射复合中心浓度的相应降低,同时衬底厚度的降低也有助于提高A1GaInP LED的器件的稳定性.
关键词:
稳定性
,
发光二极管
,
厚度
于永芹
,
黄柏标
,
尉吉勇
,
潘教青
,
周海龙
,
齐云
,
陈文澜
,
秦晓燕
,
张晓阳
,
任忠祥
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2003.03.018
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法设计并生长了两组InGaAs/AlGaAs应变多量子阱,量子阱的厚度分别为3 nm和6 nm,对其光致发光谱(PL)进行了研究,二者的发光波长分别为843 nm和942 nm,用有限深单量子阱理论近似计算了由于量子尺寸效应和应变效应引起的InGaAs/AlGaAs量子阱带隙的改变,这解释了两组样品室温下PL发射波长变化的原因.
关键词:
InGaAs/AlGaAs量子阱
,
MOCVD
,
量子尺寸效应
,
应变效应
朱宝富
,
黄柏标
,
秦晓燕
,
李先林
,
姚书山
,
尉吉勇
,
张琦
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.013
我们利用MOCVD设备在α-Al2O3衬底上生长了c轴取向的ZnO薄膜,通过X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)对ZnO薄膜进行表征,研究了退火对ZnO薄膜光电特性影响.通过退火优化, ZnO薄膜的结晶性得到提高,晶粒尺寸变大,紫外光发射峰的强度相对变强.
关键词:
MOCVD
,
退火
,
ZnO薄膜
,
X射线衍射
,
光致发光谱
尉吉勇
,
黄柏标
,
于永芹
,
张琦
,
姚书山
,
张晓阳
,
秦晓燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.04.004
利用808nm激光二极管泵浦的Nd:YAG晶体发出的1064nm皮秒激光器实现了InGaAlP多量子阱材料的红外1064nm向可见光波长660nm、625nm、580nm的上转换,并且通过条纹相机收集的时间分辨表征了此材料的上转换激发态的寿命.波长1064nm向625nm的上转换激发态寿命约为5ns,而1064nm向660nm的上转换激发态寿命约为7ns.通过双光子原理解释了此现象.
关键词:
InGaAlP
,
量子阱
,
光学上转换
,
双光子吸收
李宪林
,
黄柏标
,
朱宝富
,
于永芹
,
尉吉勇
,
秦晓燕
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.017
本文探索了以乙醇为氧源通过MOCVD方法生长ZnO薄膜的方法,着重研究了该实验中生长温度对薄膜发光光谱的影响.我们分别在350℃、370℃、380℃、400℃和420℃温度下生长了ZnO薄膜,并对其发光光谱进行了研究.结果表明适当地提高生长温度可以使近带边发光峰蓝移,但温度过高,使得峰位红移并展宽.在380℃的生长条件下得到了较好的光谱.370℃条件下还出现了474nm的发光峰,经退火后此峰消失.
关键词:
氧化锌
,
乙醇
,
MOCVD
,
温度
,
光谱
崔得良
,
尉吉勇
,
潘教青
,
郝霄鹏
,
徐现刚
,
蒋民华
功能材料
用微波水热方法制备了GaP纳米晶/桑色素复合发光材料,研究了粒度对复合材料发光波长及发光效率的影响.结果表明:在微波水热条件下,GaP纳米晶的晶体结构不发生变化,只是在复合反应后粒度有所长大;与纯GaP纳米晶的发光光谱相比,复合后材料的发光峰变窄,发光强度显著增加,而且发光峰峰位向短波方向移动;另外,复合材料的发光波长和效率与GaP纳米晶的粒度有密切关系,粒度减小时相应的复合材料发光波段蓝移且发光效率提高.
关键词:
GaP纳米晶
,
水热方法
,
复合发光材料
