刘越彦
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尚勋忠
,
孙锐
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郭金明
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周桃生
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常钢
,
何云斌
人工晶体学报
采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料.LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点.实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950～1050℃,比未添加时的烧结温度低240～340℃.当w(LiBiO2) =1.0％,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62％,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε33T/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51 μC/cm2,体积密度p =7.45g/cm3.该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中.
关键词:
PSZT压电陶瓷
,
LiBiO2掺杂
,
低温烧结
周虎
,
尚勋忠
,
周桃生
,
常钢
,
卢寅梅
,
何云斌
硅酸盐通报
通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95 Sr0.05(Zr0.525 Ti0.475)O3+1.1 mol％ CaFeO5/2+0.3mol％ Fe2O3+0.2mol％ Li2CO3+xmol％ MgO压电陶瓷材料.实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ.当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5％,相对介电常数εT33/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34％,机械品质因子Qm=822.其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中.
关键词:
压电陶瓷
,
PZT
,
MgO掺杂
,
电学性能
郭健勇
,
常钢
,
邓泽燕
,
尚勋忠
,
何云斌
材料导报
三元系铜铟硫CuInS2 (CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点.从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势.
关键词:
三元系
,
铜铟硫
,
纳米材料
,
太阳能电池
张源伟
,
尚勋忠
,
周桃生
,
柴荔英
,
邝安祥
,
袁润章
功能材料
通过在钙改性钛酸铅陶瓷材料中添加少量Pb(Zn1/2w1/2)O3、Pb(Ni1/3Nb2/3)O3和MnCO3,研制出了-种既有大机械品质因数又有大各向异性的压电陶瓷新材料.在预烧温度为845～905℃和烧结温度为1130～1190℃的范围内对新材料的微观结构、性能进行了讨论.当预烧温度为860～885℃,烧结温度为1160～1180℃时,样品的压电性能较佳.该材料可用于制作高温高频换能器.
关键词:
钛酸铅陶瓷
,
大压电各向异性
,
高机械品质因数
姜丹
,
周桃生
,
刘珩
,
尚勋忠
,
张蕾
,
何云斌
硅酸盐通报
采用固相烧结法合成0.97(Ba0.6Sr0.3Ca0.1)TiO3·0.03(Bi2O3·3TiO2)陶瓷材料,研究了掺杂稀土氧化物CeO2对陶瓷材料介电性能的影响.随CeO2加入量的增加,材料的介电常数先增大后减小再增大后减小,而介电损耗先减小后增大,击穿场强先增大后减小.当CeO2为0.1wt%时,介电常数最大,εr=2384.当CeO2为0.2 wt%时,获得了介电常数为1730,介电损耗为0.0060,耐压为13.125 kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同CeO2加入量时样品的断面形貌,结果表明:CeO2可以抑制晶粒生长,细化晶粒,形成固溶体,而过量的CeO2偏析于晶界.
关键词:
高压电容陶瓷
,
钛酸钡锶钙
,
掺杂改性
,
二氧化铈
