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化学气相输运法制备ZnO晶体

韦志仁 , 武明晓 , 郭树青 , 高平 , 尹利君 , 黄存新 , 张金平 , 张晓军 , 董国义

人工晶体学报

采用化学气相输运法在常压开放系统中,以ZnO粉体为原料,HCl和NH3为输运气体,O2和H2O为反应气体,适度过量的HCl作为刻蚀性气体,在(0001)方向的蓝宝石籽晶片上制备了(0002)方向定向生长的ZnO晶体,且a、b轴生长速度明显高于c轴方向.以(0002)方向的ZnO籽晶片作基片,制备了ZnO单晶厚膜,晶体呈螺旋状外延生长,正极面的单晶摇摆曲线半高宽为543.6弧秒.

关键词: ZnO晶体 , 化学气相输运 , 摇摆曲线

化学气相输运法制备ZnO晶体

韦志仁 , 李振军 , 高平 , 尹利君 , 黄存新 , 张利明 , 姚金宝

人工晶体学报

本文采用化学气相输运法在常压开放系统中以(0001)蓝宝石为基片制备出定向生长的ZnO晶体.以ZnO粉体为原料,NH4Cl为输运气体,O2和H2O为反应气体,加入适量的HCl作刻蚀性气体,通过调节NH4Cl输运量,获得两种不同生长方向的ZnO晶体,分别为(1010)方向和(0002)方向.(0002)方向上生长的晶体呈现六角片状,a、b轴生长速度明显高于c轴方向,晶体在基片上呈外延生长,大面积显露c面,且和蓝宝石c面平行.文中对O2、H2O、NH4Cl、HCl在晶体的生长中的作用和生长机制进行了讨论.

关键词: ZnO晶体 , 气相输运 , 制备

氟化锂晶体的研究进展

范志达 , 王强涛 , 尹利君 , 陈刚 , 刘景和 , 李春 , 何庭秋

硅酸盐通报

随着真空紫外光学技术的发展,在深紫外波段透过率最高、截止波段最短的氟化锂晶体重新引起人们的关注.本文结合LiF晶体本身的物理化学性质,综述了氟化锂原料制备工艺、晶体生长方法的研究进展及存在的问题.以提高氟化锂光学元件质量为出发点,总结了原料纯化、晶体生长、加工工艺对光学元件质量的影响和有效的解决措施.

关键词: 氟化锂晶体 , 光学元件 , 晶体生长

水热法合成ZnO单晶生长工艺研究

尹利君 , 王晓刚 , 周南浩 , 余明清 , 张联盟

采用水热温差法进行ZnO晶体的生长研究,分析在不同温度压力和矿化剂条件下分别合成几十纳米ZnO晶体和径向尺寸和高度到毫米级的ZnO晶体的生长工艺,探讨了晶体不同晶面生长速度和质量的一般规律及晶体生长机制.

关键词: 水热温差法 , ZnO晶体 , 生长工艺

ZnO晶体的功能梯度分析

尹利君 , 孙志文 , 王晓刚 , 余明清 , 张联盟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.015

分析n-ZnO薄膜和硼掺杂p型金刚石薄膜在{111}面金刚石衬底上制作n-ZnO/p-金刚石p-n异质结的应用,ZnO体晶微观结构和缺陷分布及电阻、载流子浓度、迁移率分布特征,探讨了应用功能梯度材料理论研究ZnO晶体材料的方法.从而提出应系统地建立ZnO晶体内部组成和结构的梯度分布特性数据库,从不同的应用角度来进行ZnO晶体材料设计和研究.

关键词: 功能梯度材料 , 氧化锌薄膜 , 氧化锌体晶

制作压电器件氧化锌单晶的评述

尹利君 , 李法荟 , 王晓刚 , 余明清 , 张联盟

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.03.022

氧化锌材料制作压电器件已经有很长的研究历史,自从Robert F.Service在1997年报道氧化锌可以在短波长范围实现蓝光输出后,氧化锌单晶在质量和体积方面取得了很大的研究进展.通过对比分析20世纪60年代以来氧化锌单晶压电特性的研究结果,指出迄今为止制作压电器件的氧化锌单晶仍然需要继续优化.

关键词: ZnO , 单晶生长 , 压电器件

改善Nd:YVO4晶体光学均匀性的工艺研究

尹利君 , 钟志勇

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.027

以浓度分布差小和退火后光学均匀性好为目的,通过改造温场,分阶段调整生长界面、搅拌速度、提拉速度、温度、时间等工艺参数,改善了Nd:YVO4激光晶体的光学质量和光学均匀性.

关键词: Nd:YVO4晶体 , 浓度分布 , 光学质量

石英晶体生长节能机理的研究

尹利君 , 华大辰

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.04.018

石英晶体生长功率的主要消耗在恒温阶段,其电功率变化是节能的主要参数.本文通过分析石英晶体的生长机理和过程保温模型,提出在解决溶解区的保温同时控制好温度和生长区与溶解区之间的温差以保证晶体低耗高质高效的方案.

关键词: 石英晶体 , 生长功率 , 保温 , 节能

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