宋书林
,
陈诺夫
,
周剑平
,
尹志岗
,
李艳丽
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
室温条件下,用低能离子束外延制备了GaAs:Gd薄膜,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰没有发现其它新相的衍射峰,并借助于高分辨X射线衍射(HR-XRD)进一步分析了晶格常数的变化特点.俄歇电子能谱(AES)分析了样品表面的成分,及元素随深度的分布规律,在60nm深处元素的相对含量发生明显改变,运用原子力显微镜(AFM)揭示了样品表面的形貌特点.
关键词:
GaAs:Gd薄膜
,
低能离子束外延
,
GaAs衬底
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
,
张富强
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2005.01.004
采用离子能量为 100keV,剂量为 3× 1016cm- 2的离子注入技术,室温下往 n型 Ge( 111)单晶 衬底注入 Mn+离子,注入后的样品进行 400℃热处理.利用 X-射线衍射法 (XRD)和原子力显微 镜( AFM)对注入后的样品进行了结构和形貌分析, 俄歇电子能谱法 (AES)进行了组分分析,交变 梯度样品磁强计( AGM)进行了室温磁性测量.结果表明原位注入样品的结构是非晶的,热处理后 发生晶化现象.没有在样品中观察到新相形成. Mn离子较深的注入进 Ge衬底,在 120 nm处 Mn原子百分比浓度达到最高为 8%.热处理后的样品表现出了室温铁磁特性.
关键词:
离子注入
,
锗
,
铁磁性
,
稀磁半导体
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
,
刘志凯
功能材料
采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体.借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(004)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果发现,注入后的样品表面没有发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析范围内M-T曲线存在拐点,但其所对应的铁磁性转变温度低于室温.
关键词:
半绝缘性砷化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
刘志凯
,
宋书林
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
柴春林
,
杨少延
功能材料
采用高能离子注入的方式,在GaN衬底中掺杂引入Cr离子制备了磁性半导体.借助于X射线衍射仪(XRD)进行了注入前后结构的对比分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0002)峰的微小变化.根据原子力显微镜的结果,发现注入后的样品表面起伏比较大,发生明显的变化.通过使用超导量子干涉仪SQUID进行变温分析,在所分析的10～300K范围内,磁化强度变化幅度较小,样品在室温条件下仍然保持铁磁性.
关键词:
氮化镓
,
磁性半导体
,
铁磁性转变温度
刘力锋
,
陈诺夫
,
尹志岗
,
杨霏
,
周剑平
功能材料
利用离子注入方法,以离子能量为100keV,剂量为3×1016cm-2,室温下往n型Ge(111)单晶衬底注入Mn+离子,注入后的样品分别在400和600℃氮气氛下进行热处理.利用交变梯度样品磁强计室温下对样品进行了磁性测量,利用X射线衍射法分析了样品的结构特性,俄歇电子能谱法分析了热处理样品的组分特性.磁性测试结果表明热处理后的样品表现出室温下的铁磁性.结合样品的组分、结构特征进行磁性分析后认为样品在热处理后形成铁磁性半导体MnxGe1-x结构可能是样品表现室温铁磁性的主要原因.
关键词:
离子注入
,
铁磁性
,
MnxGe1-x
尹志岗
,
张兴旺
,
吴金良
中国材料进展
doi:10.7502/j.issn.1674-3962.2017.04.01
空间微重力环境提供了一个独特平台,以改进地面材料性能、深入理解被地面重力掩盖的晶体生长现象.半导体空间材料科学的主要进展有:①基于对组分均匀的完美半导体的追求,人们对于晶体生长机理,特别是对流、溶质传输及组分分凝的相互作用,有了更加深入的理解;②基于空间实验结果,人们澄清了非接触 Bridgman生长的内在机理,并将之用于指导空间及地面实验;③提出了新的微重力晶体生长技术并成功用于组分均匀半导体合金材料的制备.回顾了以上方面的研究进展,并对半导体空间材料科学的未来挑战进行了展望.
关键词:
微重力
,
浮力对流
,
Marangoni对流
,
Bridgman生长
,
非接触生长
