刘宜华
,
岳龙强
,
徐丽
,
黄佶
,
季刚
,
王成建
,
张汝贞
,
胡季帆
,
梅良膜
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2001.01.004
在La0.67Ca0.33MnO3中进行了掺Gd研究，结果发现，经1400℃烧结的样品，获得了最佳的磁电阻效应。随掺Gd量增加，材料的相变温度逐渐下降，对应的峰值电阻率大幅度增加，居里温度逐渐下降，磁电阻比明显提高。掺入11%的Gd后，可以使磁电阻比提高一个数量级。这些变化可以用晶格效应来解释。
关键词:
钙钛矿结构
,
稀土掺杂锰氧化物
,
超大磁电阻(CMR)
刘宜华
,
王成建
,
张汝贞
,
季刚
,
黄宝歆
,
岳龙强
,
梅良模
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.02.002
在La0.5Ba0.5CoO3中,系统研究了Ce对La的替代效应.Ce的掺入首先产生了电荷转移效应.材料高温磁化率测量表明,每个Ce原子向Co的3d壳层转移2.86个电子,结果随Ce掺入量增加,材料磁矩成线性下降.另外,随Ce含量增加,材料居里温度单调下降,这是由于稀土离子的尺寸效应.在所研究的温度范围内,所有材料的导电机理都属于极化子的变程跳跃导电.由于电荷转移效应,使材料电阻率随Ce掺入量增加而迅速加大.当La全部被Ce替代后,室温下材料的电阻率提高了五个数量级以上.
关键词:
La0.5-xCexBa0.5CoO3化合物
,
电荷转移
,
尺寸效应
,
变程跳跃导电
刘宜华
,
张汝贞
,
王成建
,
岳龙强
,
栾开政
,
梅良模
,
黄佶
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2001.05.010
随掺Gd量的增加,La-Gd-Ca-Mn O化合物的金属绝缘体相变温度逐渐下降,对应的峰值电阻率大幅度增加,磁电阻比明显提高,掺入11%的Gd可以使材料的磁电阻比提高一个数量级Gd的掺入还引起材料磁电阻出现明显的不可逆效应,随掺Gd量增加,不可逆效应明显增大。
关键词:
稀土锰氧化物
,
巨磁电阻效应
,
不可逆磁电阻效应
