黄君
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毛智彪
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景旭斌
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曹坚
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甘志峰
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李芳
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崇二敏
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孟祥国
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李全波
功能材料与器件学报
相对来讲,i线(i-line)抗酸性要大大强于KrF而不容易产生类似的缺陷,但器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后,由于受到分辨率(Resolution)和焦深(Depth of Focus)的限制,双栅极(Dual Gate)蚀刻所用光刻胶由之前通用的i-line(波长365nm)改成KrF(波长248nm).由于这种缺陷会导致在双栅极氧化层湿法蚀刻后应该被蚀刻去除的栅极氧化层有残留,最终导致核心器件区栅极氧化层厚度不均匀而影响器件的性能.因此,KrF抗酸性研究就成为器件尺寸微缩进入45/40nm技术节点以后的一个课题.本文主要阐述了对双栅极氧化层湿法刻蚀中KrF光刻胶在DHF(Diluted Hydrogen Fluoride)中浸泡去除清洗过程中出现的隐形残留缺陷问题的发现,并且研究产生这种由于缺乏抗酸性而产生缺陷的机理,进而阐述通过多项基于这种现象和机理的DHF工艺蚀刻时间、光刻胶显影后烘焙硬化处理、UV光照处理、等离子体抗酸处理等实验过程及效果,最终总结出有效的解决方案:基于低温(摄氏90度)、低功率(小于1000W)下的以氧气和氮氢混合气为反应气体的Descum等离子处理非常有效地解决了光刻胶在酸液中形成残留缺陷的问题.
关键词:
闫鹏勋
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李晓春
,
李春
,
崇二敏
,
刘洋
,
李鑫
,
徐建伟
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.029
利用自行研制的磁过滤等离子体技术(FCAP),并创造性地对衬底施加低频率周期性负偏压,在室温下的单晶硅表面上制备了高质量的非晶金刚石薄膜.用扫描电子显微镜(SEM),原子力显微镜(AFM),红外吸收光谱(IR),纳米硬度计和摩擦试验仪对制备的非晶金刚石薄膜进行了结构和性能表征.实验结果表明:制备的非晶金刚石薄膜表面十分光滑,表面粗糙度仅为0.1nm;薄膜中sp3键成份高达70.7%,对应薄膜硬度达到74.8GPa,接近金刚石的硬度;薄膜摩擦系数在0.12～0.16之间.文中也讨论了偏压类型对沉积薄膜结构的影响.
关键词:
磁过滤等离子体
,
非晶金刚石膜
,
周期性偏压
,
性能
