崔利杰
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段瑞飞
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李阳
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曹国辉
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马庆珠
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董成
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赵忠贤
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魏龙
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.02.001
利用X射线衍射(XRD)和交流磁化率(Acχ)方法系统地研究了Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ(x=0.0～1.0)超导体，研究发现Eu掺杂替代了Y晶位后引起了晶格失配.这种晶格失配与电流密度有密切的联系.对于不同掺杂成分样品，X射线衍射线形分析表明(006)及(007)衍射峰型随掺杂量变化，掺杂浓度在30%和70%附近时，半高宽(FWHM)出现极大值，表明此时样品的晶格失配最大.与此相对应，电流密度Js也在此掺杂浓度范围内达到极大值.我们在晶格失配应力场的钉扎模型下对实验现象进行了讨论，认为Y1-xEuxBa2Cu3O7-δ超导体中由元素替代引起的晶格失配应力场是有效的钉扎中心.
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