闫翔宇
,
袁颖
,
张树人
,
吴开拓
,
崔毓仁
复合材料学报
为了使微波基板材料与Cu金属衬底的热膨胀性能匹配,对陶瓷/聚四氟乙烯(PTFE)微波复合基板材料的热膨胀性能进行了研究.采用湿法工艺制备了以SiO2和TiO2为填料的SiO2-TiO2/PTFE复合材料,研究了复合材料密度、填料粒度和填料体积分数对SiO2-TiO2/PTFE复合材料热膨胀性能的影响.结果表明,当SiO2的体积分数由0增至40％(TiO2:34％～26％)时,SiO2-TiO2/PTFE复合材料的线膨胀系数(CTE)由50.13×106K-1减小至10.03×106K-1.陶瓷粉体粒径和复合材料密度减小会导致CTE减小.通过ROM、Turner和Kerner模型计算CTE发现,ROM和Kerner模型与实验数据较相符,而实验值与Turner模型预测值之间的差异随PTFE含量的升高而逐渐增大.
关键词:
复合材料
,
聚四氟乙烯
,
TiO2
,
SiO2
,
线膨胀系数
吴开拓
,
袁颖
,
张树人
,
闫翔宇
,
崔毓仁
复合材料学报
采用热压成型工艺,制备了一种低损耗ZrTi2O6陶瓷填充聚四氟乙烯(PTFE)的新型微波复合基板材料.采用介质谐振器法研究了ZrTi2O6/PTFE复合材料的微波介电性能(8～12 GHz).结果表明,ZrTi2O6/PTFE复合材料的相对介电常数(εr)和介电损耗(tanδ)随着ZrTi2O6陶瓷体积分数(0～46％)的增加而增大,介电常数实验值与Lichtenecker模型预测值最吻合.ZrTi2O6/PTFE复合材料的热膨胀系数和介电常数温度系数随着ZrTi2O6陶瓷体积分数的增加而减小.46％的ZrTi2O6为较优填料比例,ZrTi2O6/PTFE的相对介电常数为7.42,介电损耗为0.0022(10 GHz).
关键词:
复合材料
,
ZrTi2O6
,
聚四氟乙烯
,
介电特性
,
基板
崔毓仁
,
钟朝位
,
袁颖
材料开发与应用
采用DSC技术,研究不同热压温度制备的PTFE/SiO2复合材料以及纳米SiO2部分取代微米SiO2的PTFE/SiO2复合材料的非等温结晶行为.DSC分析表明热压温度高于370℃时,PTFE分子聚合度下降,晶态PTFE微观形貌发生改变,其性能恶化.对复合材料非等温结晶DSC曲线应用Avrami方程分析发现,结晶过程包含了均相成核和异相成核两种成核机理.纳米SiO2取代部分微米SiO2量小于0.25％时,对PTFE成核作用有一定提升,当取代量大于0.25％时,由于偶联剂用量一定,造成SiO2颗粒团聚以及与PTFE界面相容性变差,成核效果不明显.
关键词:
DSC
,
结晶度
,
热压温度
,
Avrami方程
,
异相成核
