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酞菁钴及其衍生物修饰电极对分子氧的电催化还原

李亚男 , 霍丽华 , 左霞 , 高山 , 赵辉 , 江舟 , 陈耐生 , 黄金陵

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2009.12.019

在玻碳电极上采用吸附法制备了四溴代酞菁钴(CoPcBr_4)、酞菁钴(CoPc)和四-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁钴(CoPc(OC_8H_(17))_4)修饰电极. 利用循环伏安法和线性扫描伏安法研究了修饰电极在酸性介质中对分子氧的电催化还原,比较了不同取代基的酞菁钴对电催化性质的影响. 结果表明,它们对分子氧还原均具有良好的电催化活性,其中酞菁钴和四-α-(2,2,4-三甲基-3-戊氧基)酞菁钴对O_2的催化是2电子还原生成H_2O_2,与裸电极相比,O_2的还原峰电位分别向正方向移动了0.33和0.48 V. 而四溴代酞菁钴修饰电极在-0.1和-0.7 V附近产生的2个还原峰,说明它催化O_2到H_2O_2的还原以后还可以促进H_2O_2继续还原到H_2O,最终实现O_2的4电子还原.

关键词: 金属酞菁 , 氧还原 , 电催化

四溴-2,3-萘酞菁锌(Ⅱ)的合成及非线性光限幅特性

刘颖 , 左霞 , 吴谊群 , 朱清桃 , 陈耐生 , 宋瑛林 , 方光宇

应用化学 doi:10.3969/j.issn.1000-0518.2000.05.031

关键词: 四溴萘酞菁锌(Ⅱ) , 合成 , 非线性光限幅

四叔丁基四氮杂卟啉铅旋涂膜的气敏性研究

左霞 , 王彬 , 吴谊群 , 陈志敏 , 韦永德

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.02.017

采用可溶性的四叔丁基四氮杂卟啉铅[PbTAP(t-Bu)4],利用旋涂技术制备了四叔丁基四氮杂卟啉铅配合物旋涂膜,并对旋涂膜进行了红外光谱、电子吸收光谱分析.PbTAP(t-Bu)4在近紫外区(300～400nm)及可见区(500～700nm)有强吸收带,膜与配合物溶液相比电子吸收光谱谱带明显变宽并略有红移.四叔丁基四氮杂卟啉铅配合物旋涂膜对NH3和NO2气体的气敏性研究结果表明:该旋涂膜具有较好的气敏性,PbTAP(t-Bu)4旋涂膜对NH3的灵敏度大约是NO2的2倍,在10s内就可以达到平衡值,并且表现出较好的响应和恢复能力,而对NO2气体表现出较差的可逆性.

关键词: 四叔丁基四氮杂卟啉铅 , 旋涂膜 , 气敏性

锂修饰钙掺杂钛酸铅纳米薄膜的显微结构与湿敏机理

左霞 , 王智民 , 刘静波 , 张艳熹 , 韦永德

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.01.024

利用溶胶-旋涂镀膜技术,以Li2CO3,Ca(OAc)2,Pb(OAc)2,和Ti(O-nBu)为起始物,制备了锂修饰的钙掺杂钛酸铅湿敏纳米薄膜(Li+-CaxPb1-xTiO3,缩写为Li-CPT,在850℃/1h条件下烧结成瓷),其中x=0.35,Li/Ti=1/100(mol/mol),获得了很好的电阻-湿敏性能.采用原子力显微镜(AFM)技术,并与激光拉曼光谱仪(LRS)形貌观测相结合的方法,表征了该薄膜的显微结构,探讨了钙掺杂和锂修饰的协同作用对湿敏性能极差的纯钛酸铅(PbTiO3,缩写为PT)进行湿敏改性的可能机理.Li-CPT表面的晶粒平均面积为5μm×10μm,具有网状晶界和较大的表面积,表面粗糙度为(+0.5μm)～(-1.2μm),形成了多晶陶瓷结构和晶格缺陷.Pauling离子半径较小的Ca2+掺杂取代了Pb2+,降低了四方晶相畸变度c/a和不对称性导致的各向异性,消除了冷却过程中内应力引起的薄膜开裂和脱落.少量Li+用作表面修饰,其半径比Ca2+的更小,电荷密度更大,对水分子具有很强的极化作用和吸附作用,在很宽的湿度范围内和外电场的诱导下,水分子被解离,OH-与氧空位结合产生出自由电子参与导电.因而钙掺杂和锂修饰的协同作用使薄膜表现出灵敏度和线性均好的电阻-湿敏性能.

关键词: 锂修饰的钙掺杂钛酸铅(Li-CPT) , 阻-湿敏感纳米薄膜 , 原子力显微镜(AFM) , 显微结构

铝合金型材表面接触痕的成因及对策

苏亚军 , 钟建华 , 左霞

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2003.04.024

介绍了接触痕的概念和特征;,指出它的产生实质上是金属的接触腐蚀的结果;详细分析了接触痕的腐蚀机制;提出了具体的预防措施.

关键词: 接触痕 , 碱蚀 , 接触腐蚀 , 电极电位 , 腐蚀电池