袁昌来
,
巫秀芳
,
刘心宇
,
黄静月
,
李擘
,
梁梅芳
,
莫崇贵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00387
采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%~50mol%). 对其微观结构及电性能研究发现: 随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密, 室温电阻逐渐降低至0.46MΩ, 而热敏常数基本保持在3300K附近. CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相(0.1<x<1). 借助两个串联的RQ等效部件组成的电路模型, 探讨了CuO含量为40mol%的SrFe0.9Sn0.1O3厚膜在25~250℃范围内的阻抗特征, 发现厚膜电阻主要是由晶界电阻和晶粒电阻构成, 且这两个贡献电阻都呈现出明显的NTC热敏效应. 此外, 阻抗虚部和电学模量虚部峰值对应频率的高度匹配表明厚膜的主要导电方式为局域导电机制.
关键词:
SrFe0.9Sn0.1O3-&delta
,
,
thick-film NTC thermistors
,
CuO
,
impedance analysis
袁昌来
,
巫秀芳
,
刘心宇
,
黄静月
,
李擘
,
梁梅芳
,
莫崇贵
无机材料学报
doi:10.3724/SP.J.1077.2011.00387
采用印刷法制备了CuO掺杂SrFe0.9Sn0.1O3-δ(CSFS)厚膜负温度系数(NTC)热敏电阻(掺杂量为20mol%～50mo1%).对其微观结构及电性能研究发现:随着CuO掺杂含量的增加,厚膜表面变得更加致密,室温电阻逐渐降低至0.46 MΩ,而热敏常数基本保持在3300K附近.CuO的加入导致SrFe0.9Sn0.1O3-δ分裂成多种铁含量更低的SrFe1-xSnxO3-δ物相(0.1＜x＜1).借助两个串联的RQ等效部件组成的电路模型,探讨了CuO含量为40mol%的SrFe0.9Sn0.1O3厚膜在25～250℃范围内的阻抗特征,发现厚膜电阻主要是由晶界电阻和晶粒电阻构成,且这两个贡献电阻都呈现出明显的NTC熟敏效应.此外,阻抗虚部和电学模量虚部峰值对应频率的高度匹配表明厚膜的主要导电方式为局域导电机制.
关键词:
SrFe0.9Sn0.1O3-δ
,
厚膜NTC热敏电阻
,
CuO
,
阻抗分析
