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LiBiO2掺杂的低温烧结PSZT压电陶瓷

刘越彦 , 尚勋忠 , 孙锐 , 郭金明 , 周桃生 , 常钢 , 何云斌

人工晶体学报

采用固相二步合成法,通过在预烧粉料中添加LiBiO2,制备出一种低温烧结的Pb0.95Sr0.05(Zr0.54Ti0.46)O3压电陶瓷材料.LiBiO2的添加具有降低烧结温度同时提高陶瓷性能的优点.实验结果表明:适量的LiBiO2掺杂,可形成过渡液相烧结,使烧结温度降低到950~1050℃,比未添加时的烧结温度低240~340℃.当w(LiBiO2) =1.0%,陶瓷达到最佳压电性能:压电应变常数d33=425 pC/N,平面机电耦合系数kp=57.62%,退极化温度Td=350℃,相对介电常数ε33T/ε0=1543,介电损耗tanδ=0.0216,剩余极化强度Pr=35.51 μC/cm2,体积密度p =7.45g/cm3.该材料可应用于低温共烧的叠层压电器件中.

关键词: PSZT压电陶瓷 , LiBiO2掺杂 , 低温烧结

MgO掺杂对功率型PZT压电陶瓷性能的影响

周虎 , 尚勋忠 , 周桃生 , 常钢 , 卢寅梅 , 何云斌

硅酸盐通报

通过掺入不同比例的MgO,采用固相烧结法,制备出一种Pb0.95 Sr0.05(Zr0.525 Ti0.475)O3+1.1 mol% CaFeO5/2+0.3mol% Fe2O3+0.2mol% Li2CO3+xmol% MgO压电陶瓷材料.实验表明:适量MgO掺杂可以改善材料压电介电性能,在保持较高压电性能基本不变的前提下,提高机械品质因数Qm,降低介电损耗tanδ.当x=0.2时,陶瓷的综合性能最佳,具体性能参数为:压电应变常数d33=254 pC/N,平面机电耦合系数Kp=54.5%,相对介电常数εT33/ε0=960,介电损耗tanδ=0.34%,机械品质因子Qm=822.其性能满足大功率压电器件的要求,能较好地应用于压电变压器、超声换能器等器件中.

关键词: 压电陶瓷 , PZT , MgO掺杂 , 电学性能

纳米CuInS2光伏材料研究进展

郭健勇 , 常钢 , 邓泽燕 , 尚勋忠 , 何云斌

材料导报

三元系铜铟硫CuInS2 (CIS)以其良好的光伏性能,成为太阳能电池领域的研究热点.从CIS结构出发,综述了CIS纳米材料合成的物理、化学方法,主要包括高温热解法、热注入法、水热和溶剂热法等化学方法以及微波加热等方法,并讨论了各方法的优缺点,最后展望了CIS纳米材料的发展趋势.

关键词: 三元系 , 铜铟硫 , 纳米材料 , 太阳能电池

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