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ZnSe单晶薄膜生长控制和掺杂控制

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 杨建荣 , 于梅芳 , 杜美容 , 乔怡敏 , 郭世平 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.02.007

为研制ZnSe基蓝绿色半导体激光器,必须能够对组成激光器的各单元材料实现精确控制生长,包括材料的晶体质量、掺杂浓度和生长速度等。ZnSe是制备蓝绿激光器的基础材料,本文报道利用MBE技术对ZnSe 材料进行生长控制和掺杂控制的初步研究结果。

关键词: ZnSe , MBE , 生长控制 , 掺杂控制

ZnSe:Cl, N单晶薄膜中载流子浓度的 电学法测量和光学法确认

王善忠 , 谢绳武 , 庞乾骏 , 郑杭 , 夏宇兴 , 姬荣斌 , 巫艳 , 李标 , 杨建荣 , 何力

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2000.01.017

为了证实某一研究结果的正确性,常常需要采用两种以上 相互独立的方法对同一物理量进行测量或计算。本文采用新颖的远红 外光谱技术和常用的Hall、C-V 等电学测量技术同时对MBE生长的 ZnSe:Cl,N薄膜中的载流子浓度进行评价研究, 发现电学法和光学法测 量的结果可以很好地吻合,从而确认了ZnSe宽禁带蓝绿色发光材料中 较高的掺杂水平。

关键词: ZnSe:Cl,N单晶薄膜,载流子浓度,电学法测量,光 学法测量

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