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团簇离子束技术的应用进展

薄膜的制备方法对薄膜的性能和应用有很大影响,精密的电子器件、光学装置等越来越需要高品质的薄膜,这些都需要采用先进的制备方法来制备.结合近年来实验、计算机模拟及理论计算等各方面的研究结果,对应用团簇离子束法制备薄膜及研究团簇粒子方面的研究进展进行了评述,分析了影响薄膜性能的因素,并初步探讨了其成膜机理及团簇粒子的性质.

关键词: 团簇离子束 , 电子结构 , 薄膜

单晶Ni52Mn16.4Fe8Ga23.6的磁控形状记忆效应和磁感生应变

崔玉亭 , 王万录 , 廖克俊 , 朱亚波

稀有金属材料与工程

用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn16.4Fe8Ga23 6的单晶,通过磁增强相变应变和磁感生应变的测量研究了该材料磁控形状记忆效应和磁感生应变的温度稳定性.结果发现该材料不但具有大的自发相变应变、磁增强相变应变和磁感生应变,而且磁感生应变具有很好的温度稳定性,从265 K到100K,饱和磁感生应变的最大减小量不超过10%.另外,实验也发现磁感生应变量最大的方向是沿晶体母相的[001]方向(即单晶生长方向).根据合金形状记忆的特点和磁场诱导应变的机理对实验结果进行了分析和讨论.

关键词: 形状记忆效应 , 磁感生应变 , 马氏体相变 , 温度稳定性

热灯丝CVD金刚石膜的微结构和形貌对其电子性质的影响

王万录 , 廖克俊 , 孔春阳 , 方亮 , 王蜀霞

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.024

利用热灯丝CVD法在硅衬底上合成出了金刚石膜。金刚石膜的质量和电子性质由扫描电子显微镜、拉曼谱、阴极发光及霍尔系数测量来表征。实验结果表明，沉积条件对金刚石膜电子性质和质量有重要影响。载流子迁移率随甲烷浓度增加而减少，但场发射随其增加而增强。压阻效应随微缺陷增多而降低。异质外延金刚石膜压阻因子在室温下100微形变时为1200，但含有大量缺陷的多晶金刚石膜压阻因子低于200。这是由于薄膜中缺陷态密度增加，并依赖于膜结构的变化。

关键词: 金刚石膜 , 热灯丝 , 场发射 , 迁移率

热灯丝射频等离子体CVD法立方氮化硼薄膜某些性质的研究

廖克俊

人工晶体学报

关键词:

ZnO薄膜的光致发光

马勇 , 王万录 , 廖克俊 , 吕建伟 , 孙晓楠

功能材料

ZnO薄膜是近年发展起来的发光材料,是当前研究的热门课题.关于ZnO薄膜光致发光近几年来有许多报道和新的发光峰发现.本文对在各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的ZnO薄膜的光致发光谱和相应机理进行了综述.提出了关于需进一步研究的问题.

关键词: ZnO薄膜 , 光致发光 , 温度 , 激发强度

CVD金刚石膜的场发射机制

王必本 , 王万录 , 廖克俊 , 孔春阳

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.03.012

利用热灯丝化学气相沉积方法在光滑的钼上沉积了金刚石膜。用扫描电子显微镜和Raman 谱对金刚石膜进行了分析，结果表明金刚石膜是由许多金刚石晶粒组成，晶粒间界主要是石墨相，并且在膜内有许多缺陷。金刚石膜的场发射结果表明高浓度CH4形成的金刚石膜场发射阈位电场较低浓度CH4形成的金刚石为低。这意味着杂质（如石墨）和缺陷（悬挂键）极大地影响了膜的场发射性能。根据以上结果，提出了一种CVD金刚石膜的场发射机制即膜内的缺陷增强膜内的电场，石墨增大电子的的隧穿系数以增强CVD金刚石膜的场发射。

关键词: CVD金刚石膜 , 石墨 , 缺陷 , 场发射

负衬底偏压热灯丝CVD金刚石膜成核的研究

王万录 , 廖克俊 , 方亮 , 王必本 , 冯斌

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.01.013

本文利用扫描电子显微镜和原子力显微镜研究了Si(100)衬底上热灯丝金刚石膜成核过程.在-240V和250mA下,在镜面抛光的Si(100)衬底上金刚石最大成核密度超过了1010cm-2.研究表明,负衬底偏压增强成核主要是发射电子和离子轰击的结果.

关键词: 热灯丝CVD , 金刚石薄膜 , 成电核子发射

ZnO薄膜V族掺杂的研究进展

朱仁江 , 孔春阳 , 马勇 , 王万录 , 廖克俊

材料导报

ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型转变特性,简单介绍了共掺杂技术,提出了有待进一步研究的问题.

关键词: 氧化锌 , p型掺杂 , 共掺杂 , V族元素

碳纳米管薄膜的湿敏特性测试

曹春兰 , 廖克俊 , 罗建邦 , 韦逢艳

材料导报

分别对修饰的和未修饰的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜的湿敏特性进行了研究,发现修饰的多壁碳纳米管(MWCNTs)薄膜对湿度十分敏感.测量其湿敏特性表明:其电阻值随相对湿度有明显的变化,并呈线性关系,通过拟合计算得到修饰的和未修饰的多壁碳纳米管电阻率相对湿度系数分别为2.354×10-2Ω·m/RH和1.534×10-2Ω·m/RH.研究结果表明,碳纳米管在湿度传感器领域将有巨大的应用前景.

关键词: 纳米管 , 湿敏特性 , 薄膜电阻 , 化学修饰

碳纳米管压阻效应及其应用研究

王万录 , 廖克俊 , 吕建伟 , 万步勇 , 张毅

功能材料

利用了三点弯曲法研究了碳纳米管膜压阻效应.研究中所用的碳纳米管是用化学气相沉积法合成的.实验结果表明,碘掺杂和未掺杂的碳纳米管膜的压阻因子在500微形变和室温下分别为350和65,超过了单晶硅和多晶硅的压阻因子.同时还发现化学处理还能进一步增强碳纳米管膜的压阻效应.碘掺杂碳纳米管膜的压阻效应也许是由于在形变时带隙变化所致,而未掺杂碳纳米管压阻效应主要是由管之间接触电阻变化引起的.碳纳米管压阻效应可用于旋转速度的测量.

关键词: 压阻效应 , 碳纳米管 , 碘掺杂 , 形变诱导电阻变化

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