弓艳梅
,
徐键
,
徐清波
,
方刚
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.006
Cu2ZnSnS4(CZTS)具有与CIGS相似的结构,其直接带隙宽度为1.45~1.6 eV,吸收系数则高于104 cm-1,构成元素丰富且无毒,因此其作为一种P型半导体材料,被认为是最有希望替代CIGS的材料之一.以去离子水和无水乙醇作为溶剂,采用溶胶-凝胶法(Sol-gel)在玻璃基底上制得了CZTS薄膜,利用X射线衍射仪、拉曼光谱仪、扫描电镜和紫外可见光谱对样品进行了表征,并讨论了烘焙温度对薄膜结构和形貌的影响.结果表明当热处理温度达到200℃时得到了黑色的CZTS薄膜,其禁带宽度为1.45 eV,经过EDS分析制得的薄膜的元素比Cu:Zn:Sn:S接近2:1:1:4,这与CZTS的理论值是一致的,但是薄膜中存在少量的氯元素,同时适当降低前期的烘焙温度可以提高薄膜的致密性.
关键词:
CZTS
,
溶胶-凝胶
,
薄膜
