胡居广
,
林晓东
,
曹慧群
,
罗仲宽
,
李启文
,
张一倩
,
刁雄辉
稀有金属材料与工程
利用脉冲激光沉积(PLD)法在40～600℃范围内,以石英为基底制备了系列铜铟镓硒(CIGS)薄膜.利用分光光度计,XRD,SEM,EDS等对薄膜进行表征.结果表明,薄膜都以(112)择优取向生长,在40～400℃范围内,温度对薄膜结晶质量、晶粒尺寸等影响不明显；温度达到600℃时,结晶质量、晶粒尺寸及薄膜的红外透光率等显著增加.认为这主要与Ga元素的扩散受温度的影响有关,温度越高,Ga元素有足够的能量进行充分扩散,并完成晶体结构重组,同时分析了Se元素含量随温度变化的原因.
关键词:
CIGS薄膜
,
脉冲激光沉积
,
温度
,
扩散
