郜锦侠
,
张义门
,
张玉明
,
汤晓燕
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.02.012
在推导一个等效沟道厚度模型的基础上,对SiC隐埋沟道MOSFET亚阈特性进行了研究.首先利用泊松方程的解对等效沟道厚度的计算式进行了推导,计算结果表明,在N+D/N-A≤43的情况下,等效沟道厚度与栅压和沟道深度无关,亚阈区峰值电势随栅压线性变化,推出了一个简化的亚阈电流表达式,并在计算中计入了界面态的影响.该表达式可用来对沟道载流子浓度进行提取.
关键词:
等效沟道厚度
,
SiC
,
隐埋沟道
,
MOSFET
,
亚阈特性
徐大庆
,
张义门
,
李培咸
,
娄永乐
,
刘树林
,
童军
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.14.003
通过Mn离子注入 Mg 掺杂 GaN 外延层制备了铁磁性 GaN∶Mn 薄膜,利用拉曼散射和光致发光谱研究了退火温度对薄膜微结构和光学特性的影响。拉曼谱测试显示由离子注入相关缺陷引起了新的声子模,分析认为Mn离子相关的局域振动(LVM)紧邻 Ehigh2峰。光致发光谱观察到位于1．69,2．54和2．96 eV的3个新的发光峰,分析认为2．96 eV 的发光峰来自MgGa-VN 复合体深施主能级和 Mg 的浅受主能级之间的辐射复合跃迁,2．54 eV的发光峰来自浅施主能级和深受主能级之间的辐射复合跃迁,对于位于1．69 eV的新发光峰不排除来自MgGa-VN 复合体深施主能级和Mn相关深受主能级之间辐射复合跃迁的贡献。
关键词:
GaN
,
离子注入
,
拉曼散射
,
光致发光
程萍
,
张玉明
,
张义门
人工晶体学报
采用平面波展开和第一原理赝势法对4H-SiC理想晶体及与Vsi有关的电中性微观本征缺陷(Vsi、Vc-Vsi 、Vc-C、Vsi-Si)的超晶胞进行计算.结果发现:0 K且忽略原子驰豫时,电中性本征缺陷VC-C和Vsi的形成能相差为4.472eV,在此基础上分析了亚稳定型本征缺陷Vsi向稳定型本征缺陷Vc-C转化的理论依据及转化方式,首先发生转移的是h晶格位置上的Si原子,与非故意掺杂4H-SiC外延材料在氙光激励作用下的ESR结果吻合较好.
关键词:
本征缺陷
,
第一性原理
,
形成能
,
4H-SiC
张义门
,
常远程
,
张玉明
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.012
在研究高温下串联电阻Ron对肖特基势垒二极管正向特性的影响,以及各种反向电流密度分量对其反向特性的影响基础上,测量并理论计算了300-528K范围内Ti/4H-SiC肖特基势垒二极管的伏安特性.分别得到了理想因子、肖特基势垒高度和串联电阻在395K和528K温度下的数值.理论和实验的比较说明,高温下,热电子发射是正向电流的主要输运机理,反向电流除了以隧道效应为主外,热电子发射电流和耗尽层中复合中心产生电流都随温度的升高而大大增加,必须加以考虑.
关键词:
碳化硅
,
肖特基势垒二极管
,
高温
