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PLD方法在CVD金刚石膜上生长ZnO薄膜及其特性研究

张吉明 , 廖源 , 张五堂 , 余庆选 , 傅竹西

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2008.02.022

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在(110)和(100)织构金刚石膜上成功制备出高度c-轴取向的ZnO薄膜,然后在纯氮气氛条件下对ZnO薄膜进行退火处理.作为比较,也在(100)Si上生长的ZnO薄膜进行了相同的处理.通过测量X射线衍射(XRD)谱和光致发光(PL)谱,研究了不同衬底性质和退火对薄膜结构和发光特性的影响.实验结果表明,在(100)织构金刚石上的ZnO膜具有最好的结晶质量,其半高宽只有0.2°.退火之后近紫外发光峰明显减弱的同时,绿色发光峰得到增强.这里归结为氮气退火后氧空位的增加,这点从退火后的XPS谱中可以得到进一步的确认.

关键词: 材料 , 氧化锌薄膜 , 脉冲激光沉积法 , 金刚石 , 应力

退火过程对c轴择优取向的ZnO薄膜光学性质的影响

谢学武 , 廖源 , 张五堂 , 余庆选 , 傅竹西

量子电子学报 doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2010.02.017

利用溶胶凝胶法在石英衬底上采用旋涂法制备出ZnO薄膜,通过X射线衍射仪发现不同的退火温度对ZnO薄膜的择优取向有很大影响;通过紫外可见分光光度计和室温发光谱可以看出,制备的薄膜有很好的光学透过性和很强的紫外发光特性,而不同的退火温度对其光学性质有很大的影响.实验发现采用此种方法在650℃左右退火是一个合适的退火温度,结构特性和光学性质都相对较好;采用热分析方法可知ZnO将在375℃左右从非晶转向结晶状态,因而在常规ZnO薄膜制备方法中增加一步500℃的热处理将有助于提高ZnO薄膜的结晶质量.

关键词: 材料 , 溶胶凝胶法 , ZnO薄膜 , c轴择优取向 , 退火

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