张从尧
,
王银博
,
冯庆荣
低温物理学报
本文报道了基于混合物理化学气相沉积法(Hybrid physical-chemical vapor deposition,简称为HPCVD),以硅烷热解出的Si原子作硅源,在SiC衬底上原位生长了一系列硅掺杂MgB2超导薄膜样品.样品中最大硅掺杂量是9%.与纯净的MgB2薄膜相比较,掺杂样品的超导临界转变温度Tc没有大幅下降,超导临界电流Jc得到了一定提升.在温度为5K,外加垂直磁场为3T的条件下,样品的临界电流密度最大达到2.7×105Acm-2.同时上临界场Hc2在超导转变温度附近对于温度的变化曲线斜率-dH/dT也有一定的提高.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
硅掺杂
,
混合物理化学气相沉积法(HPCVD)
孟胜
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张从尧
,
冯庆荣
低温物理学报
通过混合物理化学气相沉积法(Hybrid Physical-chemical Vapor Deposition,简称HPCVD),我们在SiC衬底上制备出了c取向8μm厚的MgB_2超导厚膜.电性质测量表明其起始超导转变温度是41.4K,转变宽度为0.5K,剩余电阻比率RRR～7.磁性质测量表明5K和零场下样品的临界电流密度达到了1.7×10~5A/cm~2.
关键词:
混合物理化学气相沉积法
,
MgB_2超导厚膜
,
R～T曲线
,
M～T曲线
,
M～H曲线
,
SEM图
