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氮化硅掩膜法制备选择性发射极晶体硅太阳电池

艾凡凡 , 张光春 , 顾晓峰 , 李果华 , 汪义川 , 杨健 , 陈如龙 , 贾积凯 , 张杰 , 黄治国

人工晶体学报

本文采用等离子增强化学气相沉积的方法在硅片表面镀一层约80 nm厚的氮化硅掩膜,然后使用传统的丝网印刷工艺将含有一定量磷酸的腐蚀浆料印刷在氮化硅掩膜表面,腐蚀出电极图形,经过三氯氧磷液态源扩散完成重扩,去除氮化硅掩膜后进行浅扩最终实现选择性发射极.丝网印刷腐蚀浆料开窗相对于激光熔融、等离子刻蚀和光刻等方法,具有高的产量、设备投资和运营成本低等优势,容易在现有生产线上实现.最后对比了选择性发射极晶体硅太阳电池和常规太阳电池的电性能和光谱响应,制备的选择性发射极晶体硅太阳电池的短波响应优于常规晶体硅太阳电池,效率提高了0.3%.

关键词: 晶体硅太阳电池 , 选择性发射极 , PECVD , 氮化硅掩膜

电阻率对N型单晶硅电池电性能影响的研究

贾琰 , 王振交 , 严慧敏 , 张光春 , 李果华

硅酸盐通报

近年来,P型太阳电池商业化生产效率已趋于稳定,N型太阳电池逐渐走向产业化.基于N+ Np+型铝背结单晶硅太阳电池,研究了电阻率为1 ~5.5 Ω·cm的N型硅衬底材料经过相同工艺后电池性能的差别,可以有效的节省成本.通过选用不同电阻率的N型硅片,经过相同的工艺制备N型单晶硅太阳电池,采用QSSPC、四探针、ECV、恒光源Ⅰ-Ⅴ测试系统对电池的少子寿命、方块电阻、磷元素分布、电性能进行测量.实验结果表明:虽然电池的少子寿命随电阻率的升高而升高,但是在方块电阻、磷元素分布、开路电压Voc、短路电流Isc、填充因子FF、转换效率Eff等方面不同电阻率的电池并无明显差异.

关键词: 电阻率 , N型单晶硅太阳电池 , 少子寿命 , 方块电阻 , 电池性能

射频溅射功率对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响

陈肖静 , 王永谦 , 朱拓 , 李果华 , 张光春

人工晶体学报

采用磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了ZnO薄膜.研究了薄膜的沉积速率、光电特性以及不同功率条件下制备的ZnO薄膜对HIT电池开路电压的影响.结果表明:在溅射功率为200 W时制备的薄膜,具有良好的导电性和光透过性;将其应用到HIT电池中,得到的开路电压最高.该研究对提高HIT电池性能具有一定的参考意义.

关键词: 磁控溅射 , ZnO薄膜 , 沉积速率 , 光电特性 , HIT太阳电池

聚乙烯-g-聚苯乙烯对线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯共混物机械性能和发泡行为的影响

张光春 , 邱健 , 邢海平 , 唐涛

应用化学 doi:10.11944/j.issn.1000-0518.2016.07.160155

以通过开环易位聚合、加氢反应和原子转移自由基聚合技术结合制备的聚乙烯-g-聚苯乙烯(PE-g-PS)作为增容剂,研究了加入不同PS支链长度的PE-g-PS对于线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯(LLDPE/PS)共混物的机械性能和发泡行为的影响.以典型组成m(LLDPE)∶m(PS)=70∶30共混物为例,考察了PE-g-PS对共混物拉伸性能的影响.相对于二元共混物,增容剂的加入使得断裂伸长率、拉伸强度和屈服强度皆提高,且含长PS支链的增容体系提高更明显.采用超临界CO2釜式发泡工艺,考察了PE-g-PS中PS支链长度对共混物发泡行为的影响.结果表明,相对于短PS支链体系,加入PE-g-PS1.59k(PS相对分子质量为1590)后的泡孔结构更加均一,完全没有“缝隙”形貌的出现.当发泡温度降至80℃时,即使存在LLDPE发泡空间限制作用(LLDPE无法发泡),加入支链长度更长的PE-g-PS1.59k后泡孔分布也更加均一.

关键词: 线性低密度聚乙烯/聚苯乙烯共混物 , 增容剂 , 机械性能 , 釜式发泡 , 支链长度

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