杨兆柱
,
薛成山
,
庄惠照
,
王公堂
,
秦丽霞
,
李红
,
陈金华
,
黄英龙
,
张冬冬
功能材料
为了制备高质量的GaN纳米结构,采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/V薄膜,然后在流动的氨气中进行氨化反应,成功制备出GaN纳米线.采用X射线衍射(XRD)、傅里叶红外吸收光谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)对样品进行分析.研究结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN纳米线,且900℃时制备的纳米线质量最好,直径在60nm左右,长度达到十几微米.
关键词:
磁控溅射
,
GaN
,
V
,
纳米线
黄英龙
,
薛成山
,
庄惠照
,
张冬冬
,
王英
,
王邹平
,
郭永福
,
刘文军
功能材料
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60～100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
磁控溅射
,
GaN纳米线
,
Mg
,
氨化
王邹平
,
薛成山
,
庄惠照
,
王英
,
张冬冬
,
黄英龙
,
郭永福
功能材料
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃.
关键词:
Ga2O3/Cr膜
,
GaN纳米线
,
氨化温度
,
磁控溅射
王英
,
薛成山
,
庄惠照
,
王邹平
,
张冬冬
,
黄英龙
功能材料
采用浸渍法在未抛光的硅衬底上涂抹一层NiCl2薄膜,通过化学气相沉积法(CVD)制备出高质量的GaN纳米线和纳米棒.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的分析结果表明,采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米线的直径在50～200nm之间,纳米棒的直径在200～800nm之间.
关键词:
GaN纳米结构
,
NiCl2
,
CVD
李飞
,
邓安仲
,
赵启林
,
张冬冬
玻璃钢/复合材料
为研究铝合金本构关系强化段对铝合金与拉挤型复合材料过盈配合时的影响,在本文中首先将铝合金的本构关系简化为双线性模型,通过弹塑性力学推导了在该本构关系下过盈量与铝合金、复合材料界面正应力之间的关系.然后通过了有限元与实验进行了验证,在有限元验证过程中通过多线性等向强化(MISO)真实模拟铝合金的本构关系.最后研究了强化段对正应力的影响,得到结论如下:①理论解与有限元解和实验值吻合较好,这证明了理论推导的正确性;②在复合材料与铝合金进行过盈配合时考虑铝合金强化段,在铝合金与复合材料界面可以获得更大的正应力;③过盈配合时,复合材料管壁的不均匀对界面正应力的影响不大,可忽略管壁不均匀对过盈配合的影响.
关键词:
过盈配合
,
铝合金
,
复合材料
,
双线性
,
强化
刘树英
,
刘亚洲
,
李武会
,
张冬冬
,
毛钟泉
,
鈴村暁男
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201611009
向Al-Si钎料中添加质量分数为0．1％~7．0％的锌粉,采用电弧炉熔炼法和单辊熔体快淬法制备了普通和急冷Al-Si-Zn钎料,并用这两种钎料对304不锈钢和6063铝合金进行钎焊,研究了这两种钎料的组织、抗拉强度以及钎焊接头的抗剪强度.结果表明：随着锌粉添加量增加,两种钎料的润湿角均减小；与普通钎料相比,急冷钎料的晶粒更加细小,组织更加均匀；当添加锌粉的质量分数为0．5％~3％时,Al-Si-Zn相呈弥散状,钎料强度较高；当添加锌粉的质量分数超过3％后,Al-Si-Zn相呈聚集状,钎料强度较低；成分相同时,急冷钎料的抗拉强度及接头的强度都高于普通钎料的；但急冷钎料仍为细晶结构而非非晶结构,其组织仍有待改善.
关键词:
Al-Si-Zn钎料
,
急冷
,
显微组织
,
抗拉强度
曹章轶
,
吴敏
,
张冬冬
机械工程材料
doi:10.11973/jxgccl201508014
采用低温三步共蒸发法在柔性聚酰亚胺衬底上制备了铜铟镓硒(CIGSe)薄膜,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪表征了CIGSe薄膜的结晶质量和晶体结构,探讨了低温沉积工艺中第二步和第三步衬底温度与薄膜晶粒尺寸、织构取向和结晶性能的关系.结果表明:随着第二步和第三步衬底温度同时升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸逐渐增大,镓的两相分离现象逐渐消失;保持第二步衬底温度不变,随着第三步衬底温度进一步升高,CIGSe薄膜的晶粒尺寸继续增大,薄膜的结晶质量显著改善;第二步和第三步衬底温度的变化对CIGSe薄膜的织构取向基本没有影响.
关键词:
铜铟镓硒薄膜
,
衬底温度
,
低温生长
,
结晶质量
