杨曜源
,
李卫
,
张力强
,
蔡以超
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
东艳萍
,
方珍意
,
郝永亮
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.020
本文报道了用化学气相沉积(CVD)法生长ZnS透明多晶体的实验结果,对生长的晶体的物理化学性能进行了测试,讨论了化学气相沉积工艺中影响ZnS晶体质量的因素.结果表明:选用固体硫作原料,用化学气相沉积方法,可以沉积出透明ZnS多晶体;它的透过性能极其优异,在6.2μm处无吸收峰,在中、长波红外透过率可达70%以上.
关键词:
化学气相沉积法
,
硫化锌
,
红外材料
杨曜源
,
蔡以超
,
东艳苹
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
,
田鸿昌
,
李卫
,
郝永亮
,
方珍意
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.026
本文报道了CVD法制备ZnS晶体的制备工艺,系统地研究了气体流量、工作气压、基板温度等主要工艺参数对沉积速率的影响规律.实验表明,随着H2S(s)/Zn摩尔流量比的增加,沉积速率逐渐增大;基板温度升高,沉积速率加快;工作气压增大,沉积速率变化不大.在本实验研究的条件下认为,采用合适的H2S(s)/Zn摩尔流量比和沉积温度,在较低的工作气压下生长晶体,能保证较稳定的沉积速率,生长出高质量的晶体.
关键词:
红外材料
,
ZnS
,
CVD
,
沉积速率
周育先
,
方珍意
,
潘伟
,
杨曜源
,
张力强
,
王向阳
,
肖红涛
稀有金属材料与工程
以单质Zn,Se和H2为原料,采用低压化学气相沉积方法在温度为630℃～750℃,压力为300Pa～1000 Pa条件下制备出了性能优异的ZnSe多晶材料.性能测试表明,制备出的CVD ZnSe多晶材料在0.55 μm～22 μm,及8μm～14μm波段的平均透过率超过70%(1 mm厚),在3.39μm处的应力双折射为54 nm/cm.其光学透过性能与美国采用Zn和H2Se气体为原料制备出的CVD ZnSe多晶非常接近.
关键词:
ZnSe
,
红外
,
化学气相沉积
,
CVD
,
透过
王士智
,
郝先库
,
张瑞祥
,
刘海旺
,
张力强
,
吕楠楠
,
陆鹏
稀土
回用碳酸稀土沉淀废水配制萃取分离的低反液和洗液,根据沉淀废水中含氯化钠浓度、含有的微量稀土离子不同,同时根据轻稀土元素萃取分离的纯度要求回用碳酸稀土沉淀废水,结果表明:回用碳酸稀土沉淀废水降低了沉淀废水排放量,节省了新水,提高皂化废水和沉淀废水中氯化钠的浓度,降低浓缩、结晶回收氯化钠的能源消耗,同时提高了稀土收率.
关键词:
碳酸稀土
,
沉淀废水
,
回用
,
低反液和洗液
王向阳
,
方珍意
,
蔡以超
,
张力强
,
肖红涛
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.025
采用单质Se为原料(Zn-Se-H2-Ar体系)来生长CVD ZnSe,初步分析了这种工艺的机理,并详细分析了各种工艺参数对生长ZnSe的影响.这些工艺参数包括沉积腔的温度和压力,Zn坩埚和Se坩埚的温度,各路载流气体的流量.对这些工艺参数进行调整和精确控制,并控制好Zn蒸气和Se蒸气气嘴处的ZnSe生长形态,生长出了质量良好的ZnSe多晶体,透过率超过70%.
关键词:
化学气相沉积
,
硒化锌
,
工艺分析
方珍意
,
潘伟
,
祝海峰
,
张力强
,
肖红涛
,
李子涛
稀有金属材料与工程
分别用真空热压、H2S模式的化学气相沉积以及S模式的化学气相沉积3种工艺方法制备了红外透过性能良好的ZnS材料.比较了不同的工艺过程对ZnS显微结构的影响,并且分析了不同制备方法形成的缺陷对光学性能的影响.探讨了热等静压工艺改善光学性能的原因和机理.透过谱图的测试表明,S模式的化学气相沉积法制备的ZnS具有最高的可见光至远红外的透过率.对3种方法制备的ZnS分别进行了热等静压后处理,发现对材料的光学透过性能都有不同程度的提高.
关键词:
ZnS
,
真空热压
,
化学气相沉积
,
H2S模式
,
S模式
张旭
,
李卫
,
张力强
,
丁进
,
王坤
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.02.041
采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2.对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm.
关键词:
ZnSe单晶
,
化学气相输运
,
位错密度
